[發(fā)明專利]輻射源和光刻設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310166910.2
• 申請(qǐng)日: 2009-07-21
• 公開（公告）號(hào): CN103257532A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: A·亞庫(kù)寧;V·班尼恩;V·伊萬(wàn)諾夫;E·魯普斯特拉;V·克里夫特蘇恩;G·斯溫克爾斯;D·蘭貝特斯基
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;H05G2/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 張啟程

本申請(qǐng)是ASML荷蘭有限公司于2009年7月21日遞交的、申請(qǐng)?zhí)枮?00980134710.0、發(fā)明名稱為“輻射源和光刻設(shè)備”的申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種用于生成極紫外輻射的輻射源以及一種光刻設(shè)備。

背景技術(shù)

光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在所述情形中，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括：步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將整個(gè)圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分；以及掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向同步掃描所述襯底來輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。

通過用于分辨率的瑞利準(zhǔn)則來給出圖案印刷的極限的理論估計(jì)：

CD=k1*λNAPS---(1)]]>

其中，λ是所使用的輻射的波長(zhǎng)，NA_PS是用于印制圖案的投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，k₁是依賴于過程的調(diào)整因子，也稱為瑞利常數(shù)，以及CD是被印刷的特征的特征尺寸(或臨界尺寸)。從瑞利準(zhǔn)則可以得出，可以以三種方式實(shí)現(xiàn)減小特征的最小可印刷尺寸：通過縮短曝光波長(zhǎng)λ、通過增加數(shù)值孔徑NA_PS或通過減小k₁的值。

為了縮短曝光波長(zhǎng)，并因此使臨界尺寸減小，已經(jīng)提出使用極紫外(EUV)輻射源。EUV輻射源被配置以輸出約13nm的輻射波長(zhǎng)。因此，EUV輻射源可以構(gòu)成朝向獲得小的特征印刷的非常重要的一步。可能的EUV輻射源例如包括激光產(chǎn)生等離子體源、放電等離子體源或來自電子儲(chǔ)存環(huán)的同步加速器輻射。當(dāng)使用等離子體源時(shí)，污染物粒子作為等離子體生成的副產(chǎn)品而形成。通常，這些污染物粒子是不期望的，因?yàn)樗鼈兏街诶绻饪淘O(shè)備的反射表面。污染物粒子在光刻設(shè)備的反射表面上的積聚降低這些表面的反射率，并因此可能降低光刻設(shè)備可能獲得的生產(chǎn)率。

期望降低污染物粒子在光刻設(shè)備的反射表面上的積聚。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種輻射源，所述輻射源配置成生成極紫外輻射，所述輻射源包括：等離子體形成部位，在所述等離子體形成部位處，燃料將通過與輻射束接觸而形成等離子體；出口，所述出口配置成允許氣體出離輻射源；和污染物阱，所述污染物阱設(shè)置在所述源的壁上，所述污染物阱配置成降低碎片粒子從所述源的所述壁散射或?yàn)R射到所述源的收集器上的可能性。

所述污染物阱可以設(shè)置在由所述收集器形成的EUV輻射錐的外邊界的外部。

所述污染物阱可以包括由多個(gè)翼片形成的翼片阱，所述翼片構(gòu)造和布置成俘獲由在所述等離子體形成部位生成等離子體所產(chǎn)生的碎片粒子。

所述輻射源還可以包括加熱器，所述加熱器構(gòu)造和布置成將所述污染物阱加熱至足以熔化由所述污染物阱所俘獲的碎片的溫度，或者將其加熱至足以使由所述污染物阱所俘獲的碎片蒸發(fā)的溫度。所述加熱器可以是感應(yīng)加熱器。

每個(gè)翼片的至少一部分可以具有到達(dá)所述等離子體形成部位的無阻礙的視線。

每個(gè)翼片可以相對(duì)于從所述等離子體形成部位沿徑向延伸的軌跡成小于45度的角度。

每個(gè)翼片的至少一部分可以指向所述等離子體形成部位，或指向所述等離子體形成部位附近的位置。

根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括本發(fā)明的第一方面所述的輻射源。