[發明專利]輻射源和光刻設備

有效

• 申請號: 201310166910.2
• 申請日: 2009-07-21
• 公開（公告）號: CN103257532A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: A·亞庫寧;V·班尼恩;V·伊萬諾夫;E·魯普斯特拉;V·克里夫特蘇恩;G·斯溫克爾斯;D·蘭貝特斯基
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H05G2/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 張啟程

1.一種輻射源，所述輻射源配置成生成極紫外輻射，所述輻射源包括：

等離子體形成部位，所述等離子體形成部位位于燃料將通過與輻射束接觸而形成等離子體所在的位置；

出口，所述出口配置成允許氣體出離輻射源；和

污染物阱，所述污染物阱設置在所述源的壁上，所述污染物阱配置成減少從所述源的所述壁散射或濺射到所述源的收集器上的碎片粒子的量。

2.根據權利要求1所述的輻射源，其中，所述污染物阱設置在由所述收集器形成的EUV輻射錐的外邊界的外部。

3.根據權利要求1所述的輻射源，其中，所述污染物阱包括由多個翼片形成的翼片阱，所述翼片構造和布置成俘獲由在所述等離子體形成部位生成等離子體所產生的碎片粒子。

4.根據權利要求1所述的輻射源，其中，所述污染物阱包括多個帶錐度的阻擋件，所述帶錐度的阻擋件構造和布置成俘獲由在所述等離子體形成部位生成等離子體所產生的碎片粒子。

5.根據權利要求1所述的輻射源，還包括加熱器，所述加熱器構造和布置成將所述污染物阱加熱至足以熔化由所述污染物阱所俘獲的碎片的溫度，或者將其加熱至足以使由所述污染物阱所俘獲的碎片蒸發的溫度。

6.根據權利要求5所述的輻射源，其中，所述加熱器是感應加熱器。

7.根據權利要求6所述的輻射源，其中，所述污染物阱包括由多個翼片形成的翼片阱，所述翼片構造和布置成俘獲由在所述等離子體形成部位生成等離子體所產生的碎片粒子，其中所述感應加熱器構造和布置成加熱所述翼片。

8.根據權利要求3所述的輻射源，其中，每個翼片的至少一部分具有到達所述等離子體形成部位的無阻礙的視線。

9.根據權利要求8所述的輻射源，其中，每個翼片相對于從所述等離子體形成部位沿徑向延伸的軌跡成小于45度的角度。

10.根據權利要求3所述的輻射源，其中，每個翼片的至少一部分指向所述等離子體形成部位，或指向所述等離子體形成部位附近的位置。

11.根據權利要求3所述的輻射源，其中，所述翼片具有復合形狀。

12.一種光刻設備，所述光刻設備包括根據權利要求1所述的輻射源。

13.一種光刻設備，所述光刻設備包括：

輻射源，所述輻射源配置成生成極紫外輻射，所述輻射源包括：

等離子體形成部位，所述等離子體形成部位位于燃料將通過與輻射束接觸而形成等離子體所在的位置，

出口，所述出口配置成允許氣體出離輻射源，和

污染物阱，所述污染物阱設置在所述源的壁上，所述污染物阱配置成減少從所述源的所述壁散射或濺射到所述源的收集器上的碎片粒子的量；

支撐件，所述支撐件構造和布置成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置配置成將所述極紫外輻射進行圖案化；和

投影系統，所述投影系統構造和布置成將經過圖案化的輻射投影到襯底上。