[發(fā)明專利]光學(xué)層疊體、光學(xué)元件及投影裝置無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310165718.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-05-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103424788A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-12-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 下田和人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 索尼公司 |
| 主分類號(hào): | G02B1/11 | 分類號(hào): | G02B1/11;B32B15/04;G03B21/14;G03B21/20 |
| 代理公司: | 中國(guó)國(guó)際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038 | 代理人: | 陳芳 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 層疊 元件 投影 裝置 | ||
1.一種光學(xué)層疊體,包括:
電介質(zhì)層,該電介質(zhì)層具有暴露于空氣的表面;
金屬層,該金屬層具有與電介質(zhì)層的界面,并至少包含Ag;以及
層疊體,該層疊體具有與金屬層的界面,并包括一個(gè)或多個(gè)低折射率層和一個(gè)或多個(gè)高折射率層,
其中,在460nm到650nm的波長(zhǎng)區(qū)域中的反射率為0.1%或更小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)層疊體,
其中,所述層疊體包括兩個(gè)或更多個(gè)低折射率層和兩個(gè)或更多個(gè)高折射率層,并且
在可見(jiàn)光區(qū)域中的反射率為0.1%或更小。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)層疊體,
其中,所述金屬層的厚度被設(shè)置為5.5nm到6.2nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)層疊體,
其中,所述層疊體包括一個(gè)低折射率層和一個(gè)高折射率層,
所述一個(gè)高折射率層具有與金屬層的界面,并且
所述一個(gè)低折射率層的厚度被設(shè)置為大于等于150nm且小于510nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光學(xué)層疊體,
其中,金屬層的厚度被設(shè)置為6.1nm到6.5nm,并且
在可見(jiàn)光區(qū)域中的反射率為0.1%或更小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)層疊體,
其中,金屬層至少包含選自于由Pd、Cu、Au、Nd、Sm、Bi和Pt構(gòu)成的組中的一種或多種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)層疊體,
其中,電介質(zhì)層的厚度被設(shè)置為100nm或更小。
8.一種光學(xué)元件,包括:
電介質(zhì)層,該電介質(zhì)層具有暴露于空氣的表面;
金屬層,該金屬層具有與電介質(zhì)層的界面,并至少包含Ag;
層疊體,該層疊體具有與金屬層的界面,并包括一個(gè)或多個(gè)低折射率層和一個(gè)或多個(gè)高折射率層;以及
透光性基體,該透光性基體具有與層疊體的界面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的光學(xué)元件,
其中,在包含于所述層疊體中的低折射率層和高折射率層中,位于離電介質(zhì)層最遠(yuǎn)的位置處的層由低折射率層構(gòu)成,并且
該低折射率層的厚度被設(shè)置為大于等于150nm且小于510nm。
10.一種投影裝置,包括:
光源;以及
調(diào)制單元,該調(diào)制單元包括一個(gè)或多個(gè)透鏡,并將圖像信息重疊在從光源發(fā)出的光上,
其中,所述一個(gè)或多個(gè)透鏡中的至少一個(gè)透鏡包括
電介質(zhì)層,該電介質(zhì)層具有暴露于空氣的表面;
金屬層,該金屬層具有與電介質(zhì)層的界面,并至少包含Ag;
層疊體,該層疊體具有與金屬層的界面,并包括一個(gè)或多個(gè)低折射率層和一個(gè)或多個(gè)高折射率層;以及
透鏡基體,該透鏡基體具有與層疊體的界面。
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