[發明專利]發光元件的制造方法

有效

• 申請號: 201310165613.6
• 申請日: 2013-05-08
• 公開（公告）號: CN103456617B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發明（設計）人: 生駒英之
• 申請（專利權）人: 富士施樂株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;B28D5/02
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 黨曉林,王小東

技術領域

本發明涉及發光元件的制造方法。

背景技術

在專利文獻1中記載有能夠防止因切割形成的碎屑飛散而產生的切削刀片的破損的切割方法。

具體而言是這樣的切割方法：利用切削刀片將具有以預定角度形成的多個第一間隔道和第二間隔道的被加工物沿第一間隔道和第二間隔道進行切割，在切割第一間隔道后切割第二間隔道時，以切削刀片的基座側朝向被加工物的未加工區域側的方式進行切割。

現有技術文獻

專利文獻1：日本特開2001-85365號公報

發明內容

本發明的課題在于，在切割半導體晶片來制造發光元件時，抑制發光點受到損傷。

本發明的發明1的發光元件的制造方法的特征在于，其具備：準備工序，將以預先規定的規定間隔形成了多列發光點的列的半導體晶片固定于固定臺，以便制造多個呈長方形且形成有多個發光點的發光元件，其中，所述發光元件的所述多個發光點沿長邊方向的一個邊緣以比離另一邊緣近的方式排成一列；

第一切割工序，將在所述準備工序中固定于所述固定臺的所述半導體晶片沿所述發光點的列切割而形成所述發光元件的所述一個邊緣，之后，相對于所述一個邊緣隔開所述規定間隔地切割所述半導體晶片而形成另一邊緣；以及

第二切割工序，在所述第一切割工序之后，使用旋轉刀沿著與所述長邊方向相交的短邊方向對固定于所述固定臺的所述半導體晶片進行切割，從而從所述半導體晶片切割出所述發光元件。

本發明的發明2的發光元件的制造方法在發明1的基礎上，其特征在于，在所述第一切割工序中，使用構成所述旋轉刀的第一旋轉刀以預先確定的總切割次數切割所述半導體晶片的所述長邊方向，并且，使用第一噴出部件朝向所述第一旋轉刀噴出切削液，在所述第一旋轉刀切割所述半導體晶片時，計數部件計算出相對于所述總切割次數剩余的剩余切割次數或者計算出已經切割了所述半導體晶片的已切割次數，在所述第二切割工序中，使用一邊旋轉一邊切割所述半導體晶片的構成所述旋轉刀的第二旋轉刀來切割所述半導體晶片的所述短邊方向，并且，使用第二噴出部件朝向所述第二旋轉刀噴出切削液，在所述第一切割工序時，在由所述計數部件計算出的所述剩余切割次數或者所述已切割次數達到預定次數以前，使切削液停止從所述第二噴出部件噴出，在所述剩余切割次數或者所述已切割次數達到了所述預定次數之后，使切削液從所述第二噴出部件噴出。

本發明的發明3的發光元件的制造方法在發明1的基礎上，其特征在于，在所述第一切割工序中，使用構成所述旋轉刀的第一旋轉刀以預先確定的總切割次數切割所述半導體晶片的所述長邊方向，并且，使用第一噴出部件朝向所述第一旋轉刀噴出切削液，在所述第一旋轉刀切割所述半導體晶片時，計數部件計算相對于所述總切割次數剩余的剩余切割次數或者計算已經切割了所述半導體晶片的已切割次數，在所述第二切割工序中，使用一邊旋轉一邊切割所述半導體晶片的構成所述旋轉刀的第二旋轉刀來切割所述半導體晶片的所述短邊方向，并且，使用第二噴出部件朝向所述第二旋轉刀噴出切削液，在所述第一切割工序時，在由所述計數部件計算出的所述剩余切割次數或者所述已切割次數達到預定次數以前，使切削液停止從所述第二噴出部件噴出并且使所述第二旋轉刀停止旋轉，在所述剩余切割次數或者所述已切割次數達到了所述預定次數之后，使切削液從所述第二噴出部件噴出，并且使所述第二旋轉刀旋轉。

發明效果

根據本發明的發明1的發光元件的制造方法，在通過切割半導體晶片來制造以沿長邊方向的一個邊緣排成一列的方式形成有多個發光點的發光元件時，與在形成發光元件的比一個邊緣離發光點遠的另一邊緣之后形成一個邊緣的情況相比，在切割半導體晶片來制造發光元件時，能夠抑制在發光元件形成的發光點受到損傷。

根據本發明的發明2的發光元件的制造方法，與在第二旋轉刀成為切割半導體的切割狀態以前使切削液停止從第二噴出部件噴出的情況相比，能夠抑制切削液的消耗，而且在第二旋轉刀成為切割狀態時，能夠抑制切割位置的偏移。

根據本發明的發明3的發光元件的制造方法，與在使第二旋轉刀成為切割半導體晶片的切割狀態以前使切削液停止從第二噴出部件噴出并且使第二旋轉刀停止旋轉的情況相比，能夠抑制切削液的消耗，而且在第二旋轉刀成為切割狀態時，能夠抑制切割位置的偏移。

附圖說明

圖1為示出本實施方式的晶片切割裝置所使用的第一噴出單元和第二噴出單元的立體圖。

圖2為示出本實施方式的晶片切割裝置所使用的第一噴出單元和第二噴出單元的俯視圖。