[發(fā)明專利]發(fā)光元件的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310165613.6
• 申請(qǐng)日: 2013-05-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103456617B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 生駒英之
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士施樂(lè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/304
• 分類號(hào): H01L21/304;B28D5/02
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127
• 代理人: 黨曉林,王小東

1.一種發(fā)光元件的制造方法，其具備：

準(zhǔn)備工序，將以預(yù)先規(guī)定的規(guī)定間隔形成了多列發(fā)光點(diǎn)的列的半導(dǎo)體晶片固定于固定臺(tái)，以便制造多個(gè)呈長(zhǎng)方形且形成有多個(gè)發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光元件，其中，所述發(fā)光元件的所述多個(gè)發(fā)光點(diǎn)沿長(zhǎng)邊方向的一個(gè)邊緣以比離另一邊緣近的方式排成一列；

第一切割工序，將在所述準(zhǔn)備工序中固定于所述固定臺(tái)的所述半導(dǎo)體晶片沿所述發(fā)光點(diǎn)的列切割而形成所述發(fā)光元件的所述一個(gè)邊緣，之后，相對(duì)于所述一個(gè)邊緣隔開(kāi)所述規(guī)定間隔地切割所述半導(dǎo)體晶片而形成另一邊緣；以及

第二切割工序，在所述第一切割工序之后，使用旋轉(zhuǎn)刀沿著與所述長(zhǎng)邊方向相交的短邊方向?qū)潭ㄓ谒龉潭ㄅ_(tái)的所述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行切割，從而從所述半導(dǎo)體晶片切割出所述發(fā)光元件，

在所述第一切割工序中，使用構(gòu)成所述旋轉(zhuǎn)刀的第一旋轉(zhuǎn)刀以預(yù)先確定的總切割次數(shù)切割所述半導(dǎo)體晶片的所述長(zhǎng)邊方向，并且，使用第一噴出部件朝向所述第一旋轉(zhuǎn)刀噴出切削液，

在所述第一旋轉(zhuǎn)刀切割所述半導(dǎo)體晶片時(shí)，計(jì)數(shù)部件計(jì)算相對(duì)于所述總切割次數(shù)剩余的剩余切割次數(shù)或者計(jì)算已經(jīng)切割了所述半導(dǎo)體晶片的已切割次數(shù)，

在所述第二切割工序中，使用一邊旋轉(zhuǎn)一邊切割所述半導(dǎo)體晶片的構(gòu)成所述旋轉(zhuǎn)刀的第二旋轉(zhuǎn)刀來(lái)切割所述半導(dǎo)體晶片的所述短邊方向，并且，使用第二噴出部件朝向所述第二旋轉(zhuǎn)刀噴出切削液，

在所述第一切割工序時(shí)，在由所述計(jì)數(shù)部件計(jì)算出的所述剩余切割次數(shù)或者所述已切割次數(shù)達(dá)到預(yù)定次數(shù)以前，使切削液停止從所述第二噴出部件噴出，在所述剩余切割次數(shù)或者所述已切割次數(shù)達(dá)到了所述預(yù)定次數(shù)之后，使切削液從所述第二噴出部件噴出，使所述第二旋轉(zhuǎn)刀的溫度在預(yù)定的范圍內(nèi)。

2.一種發(fā)光元件的制造方法，其具備：

準(zhǔn)備工序，將以預(yù)先規(guī)定的規(guī)定間隔形成了多列發(fā)光點(diǎn)的列的半導(dǎo)體晶片固定于固定臺(tái)，以便制造多個(gè)呈長(zhǎng)方形且形成有多個(gè)發(fā)光點(diǎn)的發(fā)光元件，其中，所述發(fā)光元件的所述多個(gè)發(fā)光點(diǎn)沿長(zhǎng)邊方向的一個(gè)邊緣以比離另一邊緣近的方式排成一列；

第一切割工序，將在所述準(zhǔn)備工序中固定于所述固定臺(tái)的所述半導(dǎo)體晶片沿所述發(fā)光點(diǎn)的列切割而形成所述發(fā)光元件的所述一個(gè)邊緣，之后，相對(duì)于所述一個(gè)邊緣隔開(kāi)所述規(guī)定間隔地切割所述半導(dǎo)體晶片而形成另一邊緣；以及

第二切割工序，在所述第一切割工序之后，使用旋轉(zhuǎn)刀沿著與所述長(zhǎng)邊方向相交的短邊方向?qū)潭ㄓ谒龉潭ㄅ_(tái)的所述半導(dǎo)體晶片進(jìn)行切割，從而從所述半導(dǎo)體晶片切割出所述發(fā)光元件，

在所述第一切割工序中，使用構(gòu)成所述旋轉(zhuǎn)刀的第一旋轉(zhuǎn)刀以預(yù)先確定的總切割次數(shù)切割所述半導(dǎo)體晶片的所述長(zhǎng)邊方向，并且，使用第一噴出部件朝向所述第一旋轉(zhuǎn)刀噴出切削液，

在所述第一旋轉(zhuǎn)刀切割所述半導(dǎo)體晶片時(shí)，計(jì)數(shù)部件計(jì)算相對(duì)于所述總切割次數(shù)剩余的剩余切割次數(shù)或者計(jì)算已經(jīng)切割了所述半導(dǎo)體晶片的已切割次數(shù)，

在所述第二切割工序中，使用一邊旋轉(zhuǎn)一邊切割所述半導(dǎo)體晶片的構(gòu)成所述旋轉(zhuǎn)刀的第二旋轉(zhuǎn)刀來(lái)切割所述半導(dǎo)體晶片的所述短邊方向，并且，使用第二噴出部件朝向所述第二旋轉(zhuǎn)刀噴出切削液，

在所述第一切割工序時(shí)，在由所述計(jì)數(shù)部件計(jì)算出的所述剩余切割次數(shù)或者所述已切割次數(shù)達(dá)到預(yù)定次數(shù)以前，使切削液停止從所述第二噴出部件噴出并且使所述第二旋轉(zhuǎn)刀停止旋轉(zhuǎn)，在所述剩余切割次數(shù)或者所述已切割次數(shù)達(dá)到了所述預(yù)定次數(shù)之后，使切削液從所述第二噴出部件噴出，并且使所述第二旋轉(zhuǎn)刀旋轉(zhuǎn)，使所述第二旋轉(zhuǎn)刀的溫度在預(yù)定的范圍內(nèi)。