[發明專利]一種電子器件的真空鍍膜工藝

在審

• 申請號: 201310165544.9
• 申請日: 2013-05-07
• 公開（公告）號: CN103305795A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 狄國慶;鄧波
• 申請（專利權）人: 蘇州奕光薄膜科技有限公司
• 主分類號: C23C14/16
• 分類號: C23C14/16;C23C14/34
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種電子器件的真空鍍膜工藝，特別涉及對無源射頻和微波濾波器、雙工器鍍膜表面采用磁控濺射工藝實現鍍膜的方法。

背景技術

無源射頻和微波濾波器、雙工器廣泛用于通信、雷達、電子領域，是無線通訊系統中極為關鍵的元器件之一。目前這類器件都是以鋁為基體，其表面電鍍一定厚度的銅和銀以提高其表面導電率滿足使用要求。

在電鍍工藝中，被鍍金屬是不能完全變成所需要的鍍層，相當一部分將變成污染物存在于電鍍廢水中、污泥中，也有部分氣化形成有害氣體，造成對環境的重金屬污染，以及溶液和材料的浪費。

同時，電鍍方法成膜由于電鍍液中金屬離子的濃度，溶液潔凈度隨時間的推移而變小和變差，需要不斷調節甚至更換，導致膜層和基體結合強度不穩定，所以電鍍方法成膜使用在無源射頻和微波濾波器、雙工器中其良品率不高，良品率常常低于80％。

而且部分濾波器在不同環境條件下，特別在野外，膜層的耐酸堿特性就顯得尤其重要。為了解決此問題，通常做法是在電鍍了銅，銀之后再作表面鈍化。此方法雖然解決了膜層的耐酸堿特性問題，但是，由于其表面鈍化層導電性能差，事實上就降低了器件的差損指標。

因此，現有電鍍工藝制成的濾波器在膜層和基體結合強度、膜層致密度、膜層表面光潔度，膜層的耐酸堿特性上，以及生產過程中的良品率和環保性上均存在一定的缺陷。

發明內容

本發明為了解決上述問題，提供一種電子器件的真空鍍膜工藝。

作為優選，所述的電子器件為濾波器或雙工器。

作為優選，所述的電子器件為無源射頻和微波濾波器或雙工器。

作為優選，上述的真空鍍膜工藝為磁控濺射沉積銅、銀導電膜的真空磁控濺射工藝，包括以下步驟：

(1)將清潔的基體放入真空容器中、抽真空到10^-4Pa、通入高純氬氣至0.5Pa；

(2)線形離子源照射，離子源電壓1500V，偏壓600V，時間5分鐘；

(3)直流濺射純鋁：直流濺射電壓400V，電流15A，偏壓600V，時間2分鐘；

(4)線形離子源照射，離子源電壓750V，偏壓600V，時間2分鐘；

(5)直流濺射鋁銅合金：電壓400V，電流18A，時間3分鐘；

作為優選，鋁銅合金的鋁銅比例為1∶1

(6)直流濺射純銅：電壓400V，電流25A，時間24分鐘；

(7)直流濺射純銀：電壓350V，電流20A，時間8分鐘；

(8)直流濺射銅鉬合金：電壓300V，電流10A，時間1分鐘。

作為優選銅鉬合金的銅鉬比為4∶1.

發明有益效果：

(1)無源射頻和微波濾波器、雙工器表面得以用真空鍍膜工藝取代化學電鍍工藝，大量，減少由于化學電鍍帶來的重金屬污染和排放。

(2)利用高能氬粒子對工件表面進行轟擊，可有效去除表面殘留雜質和氧化物，并在其表面形成微觀的凹凸，有利于提高鍍層和基體結合力。

(3)在鋁基體上沉積金屬銅，采用先沉積200nm的Al，再濺射500nm的50Al50Cu，最后濺射純Cu，進一步提高了其結合力。

(4)最后一道工序采用沉積50nm厚度的CuMo合金，因添加了Mo，故其耐酸堿性，提高膜層的耐酸堿特性，耐大氣腐蝕性和高溫強度特別好，同時也不影響其表面導電性。

具體實施例

將清潔的濾波器基體放入真空容器中、抽真空到10^-4Pa、通入高純氬氣至0.5Pa；采用線形離子源照射，離子源電壓1500V，偏壓600V，時間5分鐘；通過直流濺射純鋁：直流濺射電壓400V，電流15A，偏壓600V，時間2分鐘；采用線形離子源照射，離子源電壓750V，偏壓600V，時間2分鐘；采用直流濺射鋁銅比為1∶1的合金：電壓400V，電流18A，時間3分鐘；直流濺射純銅：電壓400V，電流25A，時間24分鐘；直流濺射純銀：電壓350V，電流20A，時間8分鐘；直流濺射銅鉬比為4∶1的合金：電壓300V，電流10A，時間1分鐘。

上述實例只為說明本發明的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人是能夠了解本發明的內容并據以實施，并不能以此限制本發明的保護范圍。凡根據本發明精神實質所做的等效變換或修飾，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。