[發明專利]一種電子器件的真空鍍膜工藝在審
| 申請號： | 201310165544.9 | 申請日： | 2013-05-07 |
| 公開（公告）號： | CN103305795A | 公開（公告）日： | 2013-09-18 |
| 發明（設計）人： | 狄國慶;鄧波 | 申請（專利權）人： | 蘇州奕光薄膜科技有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/16 | 分類號： | C23C14/16;C23C14/34 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215000 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電子器件 真空鍍膜 工藝 | ||
1.一種電子器件的真空鍍膜工藝，包含以下步驟：
(1)將清潔的基體放入真空容器中、抽真空到10-4Pa、通入高純氬氣至0.5Pa；
(2)線形離子源照射，離子源電壓1500V，偏壓600V，時間5分鐘；
(3)直流濺射純鋁：直流濺射電壓400V，電流15A，偏壓600V，時間2分鐘；
(4)線形離子源照射，離子源電壓750V，偏壓600V，時間2分鐘；
(5)直流濺射鋁銅合金：電壓400V，電流18A，時間3分鐘；
(6)直流濺射純銅：電壓400V，電流25A，時間24分鐘；
(7)直流濺射純銀：電壓350V，電流20A，時間8分鐘；
(8)直流濺射銅鉬合金：電壓300V，電流10A，時間1分鐘。
2.根據權利要求1所述的真空鍍膜工藝，其特征在于所述的電子器件為濾波器或雙工器。
3.根據權利要求1所述的真空鍍膜工藝，其特征在于所述的電子器件為無源射頻和微波濾波器或雙工器。
4.根據權利要求1所述的真空鍍膜工藝，其特征在于所述的磁控濺射所鍍的膜為銅膜和銀膜。
5.根據權利要求1所述的真空鍍膜工藝，其特征在于所述的鋁銅合金的鋁銅比例為1∶1。
6.根據權利要求1所述的真空鍍膜工藝，其特征在于所述的銅鉬合金的銅鉬比為4∶1。
7.根據權利要求1所述的真空鍍膜工藝，其特征在于所述的直流濺射純鋁步驟鋁的厚度為200nm
8.根據權利要求1所述的真空鍍膜工藝，其特征在于所述的直流濺射鋁銅合金步驟的鋁銅合金厚度為500nm。
9.根據權利要求1所述的真空鍍膜工藝，其特征在于所述的直流濺射銅鉬合金步驟銅鉬合金厚度為50nm。
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