[發明專利]一種Al-Sn薄膜負極及其制備方法有效
| 申請號： | 201310163429.8 | 申請日： | 2013-05-06 |
| 公開（公告）號： | CN103268933A | 公開（公告）日： | 2013-08-28 |
| 發明（設計）人： | 劉江文;劉佳;胡仁宗;曾美琴;朱敏 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | H01M4/1395 | 分類號： | H01M4/1395;H01M4/134 |
| 代理公司： | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人： | 宮愛鵬 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 al sn 薄膜 負極 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種Al-Sn薄膜負極的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
a、用黃銅片作為基片，通過真空磁控濺射沉積鍍膜的方法在基片上沉積鋁膜；
b、將a步驟中得到的樣品作為襯底，以PMMA為電子束抗蝕劑，用電子束曝光技術按照設計好的圖形在襯底上制備孔洞陣列微結構；
c、以PMMA為保護層，將b步驟得到的樣品利用四甲基氫氧化銨水溶液進行刻蝕處理，在鋁膜上得到孔洞陣列微結構；
d、以c步驟中得到的具有微觀結構的襯底作為基片，以純Sn作為靶材，再次采用真空磁控濺射沉積鍍膜的方法，沉積純Sn；
e、用熱丙酮去除抗蝕劑PMMA，從而得到Al-Sn薄膜負極。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟a和d中，真空磁控濺射沉積鍍膜過程中功率分別為80～100W和70～80W，時間分別為15～20min和10～15min。
3.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，所述PMMA的質量分數為4%，分子量為350K。
4.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟c中，所述四甲基氫氧化銨水溶液的質量濃度為20%～30%，刻蝕時間為30s～1min。
5.根據權利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟e去除PMMA是利用煮沸的丙酮浸泡時間10～20min，并輔以超聲清洗10～20min。
6.權利要求1～5任意一項方法制備的Al-Sn薄膜負極。
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