[發明專利]半導體器件有效
| 申請號: | 201310163409.0 | 申請日: | 2013-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN103378055B | 公開(公告)日: | 2017-09-22 |
| 發明(設計)人: | 木原崇雄 | 申請(專利權)人: | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L23/522 | 分類號: | H01L23/522 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所11256 | 代理人: | 陳偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體器件 | ||
技術領域
本發明涉及半導體器件,例如,能夠適合利用于具有可減少發送部的無用波(雜波:spurious)的構造的半導體器件。
背景技術
像移動電話、移動信息終端(Personal Digital Assistant:PDA)、WiFi(注冊商標)(Wireless Fidelity)收發器、以及其他通信設備那樣的移動通信設備通過各種頻率來收發通信信號。
尤其是,在移動電話等中,使用了LTE(Long Term Evolution:長期演進技術)/W-CDMA/GSM(注冊商標)三模式收發器等。
為了進行有效的通信,收發信號的頻率比輸送要進行通信的信息的基帶信息信號高出幾倍。因此,收發器必須使用調頻器來使發送信號升頻、使接收信號降頻。
這樣的收發器多由于小型化的需要而單芯片化,因此,也存在發送部和接收部的各電路成為彼此的噪聲產生原因的情況。尤其是,存在如下問題:由于通過在各電路中流通的電流而產生的磁場的影響,在其他電路中感應出電流。作為防止這樣的噪聲的技術,公開有如下技術。
日本特開2004-228144號公報(專利文獻1)的目的在于,在具有多個線圈的陣列式的線圈部件中,實現能夠抑制由電感器之間的磁耦合導致的傳感器自身的特性惡化的構造。日本特開2004-228144號公報(專利文獻1)所公開的發明的線圈部件中,多個線圈在由絕緣體層層疊而成的層疊體的內部沿與層疊方向垂直的方向相鄰地配置,線圈具有由直線狀導體構成的大致旋渦形狀或大致螺旋形狀,在相鄰的線圈之間,在絕緣體層的同一面上鄰近且相對的直線狀導體在其延長線上大致正交。
日本特開2005-327931號公報(專利文獻2)的目的在于提供集成電感器及使用了該集成電感器的接收電路,能夠抑制由集成電感器之間的耦合導致的自混頻、進而能夠實現電路的簡化、芯片尺寸及耗電的減少。日本特開2005-327931號公報(專利文獻2)所公開的發明為,在基板上至少具有兩層導體層,并具有由第1導體層形成且相鄰地配置的螺旋狀的第1及第2電感單元,上述第1及第2電感單元以使電流的流向彼此為相反方向的方式連接,在第1及第2電感單元與外部電路的連接中,至少具有兩處基于第2導體層的與第1導體層的交叉部。
尤其是,從接收部的本機振蕩器生成的信號的同相成分(共模)泄漏至發送部的變頻器、即正交調制器,從而存在與發送波的三倍高次諧波混頻而產生的雜波。
從該接收部的本機振蕩器生成的信號的泄露是由接收部的振蕩器的馬蹄狀電感器與正交調制器的旋渦線狀電感器的磁耦合引起的。
例如,在收發器以頻帶1(發送頻率:1920~1980MHz,接收頻率:2110~2170MHz)動作的情況下,由于該無用波(雜波)落入GPS頻帶(1575.42MHz=3﹡1955MHz―2﹡2145MHz,從接收部的本機振蕩器生成的信號的頻率為接收頻率的二倍),所以存在使位于同一基板上的GPS接收器的接收靈敏度惡化的問題。
日本特開2004-228144號公報(專利文獻1)在現有技術中使兩個電感器的“く”字狀部相對配置,因此不區分同相成分或差動成分地減小兩個電感器之間的信號的泄露。但是,沒有詳細研討在同相成分(共模)向旋渦線狀電感器泄露的情況下使無用波(雜波)減少的內容。
另外,日本特開2005-327931號公報(專利文獻2)在接收電路的本機振蕩器和低噪聲放大器中使用了8字型電感器,從而減小了兩個電路的干涉。但是,沒有詳細研討在同相成分(共模)向旋渦線狀電感器泄露的情況下使無用波(雜波)減少的內容。
發明內容
本發明的一個實施例的目的在于解決上述問題,提供能夠盡可能減小從發送部輸出的無用波(雜波)的半導體器件。
根據一個實施方式,為一種半導體器件,具有:包含第1導體層而形成的旋渦線狀的第1電感器;和包含第1導體層而形成的馬蹄狀的第2電感器,第2電感器以使其開口部位于第1電感器的相反側的方式配置。
根據上述一個實施例的方式,能夠盡可能減小從發送部輸出的無用波(雜波),因此,也能夠減少SAW(Surface Acoustic Wave:表面聲波)濾波器,進而能夠削減安裝面積。
本發明的上述目的及其他目的、特征、概要及優點能夠從與添加的附圖關聯地理解的、與本發明相關的下述詳細說明中得以明確。
附圖說明
圖1是表示本發明的實施方式的半導體器件的結構的框圖。
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