[發明專利]一種增強TiO2電極電化學性能的處理方法有效
| 申請號: | 201310161104.6 | 申請日: | 2013-05-03 |
| 公開(公告)號: | CN103265067A | 公開(公告)日: | 2013-08-28 |
| 發明(設計)人: | 李東棟;吳慧;徐辰;汪軍;魯林峰;陳小源 | 申請(專利權)人: | 上海中科高等研究院 |
| 主分類號: | C01G23/047 | 分類號: | C01G23/047 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人: | 李儀萍 |
| 地址: | 201210 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 增強 tio sub 電極 電化學 性能 處理 方法 | ||
1.一種增強TiO2電極電化學性能的處理方法,其特征在于,所述TiO2電極電化學性能的處理方法至少包括步驟:
對制備的TiO2電極進行氣體等離子體處理,引入摻雜元素或氧空位,從而實現有效摻雜,其中,所述TiO2電極為一維納米結構。
2.根據權利要求1所述的增強TiO2電極電化學性能的處理方法,其特征在于:采用電化學方法、水熱法、模板法、溶膠凝膠法、微乳液法及氣相沉積法中的任意一種方法來制備所述TiO2電極。
3.根據權利要求2所述的增強TiO2電極電化學性能的處理方法,其特征在于:所述電化學方法包括恒壓/恒流陽極氧化法和脈沖氧化法。
4.根據權利要求1所述的增強TiO2電極電化學性能的處理方法,其特征在于:所述一維納米結構為納米管或納米線結構。
5.根據權利要求1所述的增強TiO2電極電化學性能的處理方法,其特征在于:進行等離子體處理前,還包括對所述TiO2電極進行退火處理的步驟。
6.根據權利要求5所述的增強TiO2電極電化學性能的處理方法,其特征在于:進行退火處理的溫度范圍為400~800℃,退火處理的時間范圍為1~20h。
7.根據權利要求1所述的增強TiO2電極電化學性能的處理方法,其特征在于:等離子體處理采用的氣體包括H2、N2、CH4及NH3中的一種或多種,氣體的流量為20~500sccm。
8.根據權利要求1所述的增強TiO2電極電化學性能的處理方法,其特征在于:等離子體處理時,體系氣壓為20~200Pa,處理溫度為25~650℃,射頻電源的功率密度為10~200mW/cm2,反應時間為1~180min。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海中科高等研究院,未經上海中科高等研究院許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310161104.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種用于氣象學中尋找三體散射的方法
- 下一篇:多用途實驗動物籠
- 納米TiO<sub>2</sub>復合水處理材料及其制備方法
- 具有TiO<sub>2</sub>致密層的光陽極的制備方法
- 一種TiO<sub>2</sub>納米顆粒/TiO<sub>2</sub>納米管陣列及其應用
- 基于TiO2的擦洗顆粒,以及制備和使用這樣的基于TiO2的擦洗顆粒的方法
- 一種碳包覆的TiO<sub>2</sub>材料及其制備方法
- 一種應用于晶體硅太陽電池的Si/TiO<sub>x</sub>結構
- 應用TiO<sub>2</sub>光觸媒載體凈水裝置及TiO<sub>2</sub>光觸媒載體的制備方法
- 一種片狀硅石/納米TiO2復合材料及其制備方法
- TiO<base:Sub>2
- TiO
- 一種Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>復相熱障涂層材料
- 無鉛[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>納米管及其制備方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一種Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 復合膜及其制備方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 熒光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一種(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制備方法
- 熒光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>復合材料的制備方法





