[發明專利]半導體封裝構造及其制造方法

有效

• 申請號: 201310161037.8
• 申請日: 2013-05-03
• 公開（公告）號: CN103268862A
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發明（設計）人: 陳天賜;陳光雄;王圣民;李育穎
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/28
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

技術領域

本發明涉及一種半導體封裝構造，特別是有關于一種制作不易翹曲的半導體封裝構造及其制造方法。

背景技術

現今，半導體封裝產業發展出各種不同型式的封裝構造，以滿足各種需求，一般的封裝工藝主要是在基板上布設芯片，接著再用封裝膠體將芯片包覆起來，完成封裝體，同時在基板背面設有錫球，以供封裝體后續焊接于電路板上。

一般而言，在常見的封裝工藝中會使用一基板條來提供多個芯片設置區域，在芯片全數布設于基板條之后，再于基板條表面設置封裝膠體來包覆芯片，接著再將基板條切割成數個單獨的半導體封裝構造。

半導體封裝構造在制造過程中會經常處于高溫環境下，然而由于基板與封裝膠體之間的熱膨脹系數差異(CTE?mismatch)往往會導致基板與封裝膠體具有不同的熱膨脹程度而有應力作用拉扯，因而產生翹曲的現象，再加上目前的電子產品尺寸越趨輕薄短小，使得半導體封裝構造的整體厚度也隨著降低，相對導致半導體封裝構造的翹曲現象變得更顯著。

半導體封裝構造的翹曲問題往往會導致許多問題，例如可能導致打線封裝的半導體封裝構造的內部導線結合不良；或可能導致使用倒裝芯片技術的半導體封裝構造的芯片下方的凸塊或凸柱斷裂；或者是在設置于電路板上時，所述半導體封裝構造底部的錫球無法良好的結合于電路板上。

故，有必要提供一種半導體封裝構造及其制造方法，以解決現有技術所存在的問題。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種半導體封裝構造的制造方法，以改善現有半導體封裝構造的翹曲問題。

本發明的主要目的在于提供一種半導體封裝構造的制造方法，其利用形成于封裝膠體上的抗翹曲層強化整體半導體封裝構造的結構強度，以有效降低半導體封裝構造受熱翹曲的程度。

本發明的次要目的在于提供一種半導體封裝構造，其具有一抗翹曲層，加強整體結構的抗翹曲能力。

為達成本發明的前述目的，本發明一實施例提供一種半導體封裝構造的制造方法，其中所述制造方法包含：提供一基板條，所述基板條包含多個基板單元；設置多個芯片于所述多個基板單元上；設置一封裝膠體于所述基板條上以包覆所述芯片；形成一抗翹曲層于所述封裝膠體的一頂面上；以及切割所述基板條以分離所述多個基板單元，進而制成多個半導體封裝構造，其中所述抗翹曲層與所述基板單元彼此絕緣，所以抗翹曲層由一預定材料以一預定厚度形成而導致在25℃到260℃之間的溫度下所述半導體封裝構造的翹曲改變量少于210微米。

本發明另一實施例提供一種半導體封裝構造的制造方法，其中所述制造方法包含：提供一基板條，所述基板條包含多個基板單元，每一所述基板單元的面積介于302.76平方毫米到309.76平方毫米之間；設置多個芯片于所述多個基板單元上；設置一封裝膠體于所述基板條上以包覆所述芯片；形成一抗翹曲層于所述封裝膠體的一頂面上；以及切割所述基板條以分離所述多個基板單元，進而制成多個半導體封裝構造，其中所述抗翹曲層與所述基板單元彼此絕緣，所以抗翹曲層由一預定材料以一預定厚度形成而導致在25℃到260℃之間的溫度下所述半導體封裝構造的翹曲改變量介于75微米到235微米之間。

本發明另一實施例提供一種半導體封裝構造的制造方法，其中所述制造方法包含：提供一基板條，所述基板條包含多個基板單元，每一所述基板單元的面積介于357.21平方毫米到364.81平方毫米之間；設置多個芯片于所述多個基板單元上；設置一封裝膠體于所述基板條上以包覆所述芯片；形成一抗翹曲層于所述封裝膠體的一頂面上；以及切割所述基板條以分離所述多個基板單元，進而制成多個半導體封裝構造，其中所述抗翹曲層與所述基板單元彼此絕緣，所以抗翹曲層由一預定材料以一預定厚度形成而導致在25℃到260℃之間的溫度下所述半導體封裝構造的翹曲改變量介于180微米到236微米之間。

本發明另一實施例提供一種半導體封裝構造的制造方法，其中所述制造方法包含：提供一基板條，所述基板條包含多個基板單元，每一所述基板單元的面積介于404.01平方毫米到412.09平方毫米之間；設置多個芯片于所述多個基板單元上；設置一封裝膠體于所述基板條上以包覆所述芯片；形成一抗翹曲層于所述封裝膠體的一頂面上；以及切割所述基板條以分離所述多個基板單元，進而制成多個半導體封裝構造，其中所述抗翹曲層與所述基板單元彼此絕緣，所以抗翹曲層由一預定材料以一預定厚度形成而導致在25℃到260℃之間的溫度下所述半導體封裝構造的翹曲改變量介于159微米到290微米之間。