[發明專利]半導體封裝構造及其制造方法

有效

• 申請號: 201310161037.8
• 申請日: 2013-05-03
• 公開（公告）號: CN103268862A
• 公開（公告）日: 2013-08-28
• 發明（設計）人: 陳天賜;陳光雄;王圣民;李育穎
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/28
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 翟羽

1.一種半導體封裝構造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含下列步驟：

提供一基板條，所述基板條包含多個基板單元；

設置多個芯片于所述多個基板單元上；

設置一封裝膠體于所述基板條上以包覆所述芯片；

形成一抗翹曲層于所述封裝膠體的一頂面上；以及

切割所述基板條以分離所述多個基板單元，進而制成多個半導體封裝構造，其中所述抗翹曲層與所述基板單元彼此絕緣，所以抗翹曲層由一預定材料以一預定厚度形成而導致在25℃到260℃之間的溫度下所述半導體封裝構造的翹曲改變量少于210微米。

2.如權利要求1所述的半導體封裝構造的制造方法，其特征在于：所述預定材料為鉻；所述預定厚度介于0.5微米到3微米之間。

3.如權利要求1所述的半導體封裝構造的制造方法，其特征在于：所述基板單元的面積介于98平方毫米到150平方毫米之間，所述半導體封裝構造的翹曲改變量介于53微米到68微米之間。

4.如權利要求1所述的半導體封裝構造的制造方法，其特征在于：所述基板單元的面積介于150平方毫米到310平方毫米之間，所述半導體封裝構造的翹曲改變量介于75微米到111微米之間。

5.如權利要求1所述的半導體封裝構造的制造方法，其特征在于：所述基板單元的面積介于310平方毫米到412.1平方毫米之間，所述半導體封裝構造的翹曲改變量介于159微米到209微米之間。

6.如權利要求1所述的半導體封裝構造的制造方法，其特征在于：所述基板單元的面積介于98.01平方毫米到102.01平方毫米之間，所述半導體封裝構造的翹曲改變量介于53微米到60微米之間。

7.如權利要求1所述的半導體封裝構造的制造方法，其特征在于：所述基板單元的面積介于141.61平方毫米到146.41平方毫米之間，所述半導體封裝構造的翹曲改變量介于64微米到99微米之間。

8.如權利要求1所述的半導體封裝構造的制造方法，其特征在于：所述基板單元的面積介于166.41平方毫米到171.61平方毫米之間，所述半導體封裝構造的翹曲改變量介于88微米到143微米之間。

9.一種半導體封裝構造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含下列步驟：

提供一基板條，所述基板條包含多個基板單元，每一所述基板單元的面積

介于302.76平方毫米到309.76平方毫米之間；

設置多個芯片于所述多個基板單元上；

設置一封裝膠體于所述基板條上以包覆所述芯片；

形成一抗翹曲層于所述封裝膠體的一頂面上；以及

切割所述基板條以分離所述多個基板單元，進而制成多個半導體封裝構造，其中所述抗翹曲層與所述基板單元彼此絕緣，所以抗翹曲層由一預定材料以一預定厚度形成而導致在25℃到260℃之間的溫度下所述半導體封裝構造的翹曲改變量介于75微米到235微米之間。

10.如權利要求9所述的半導體封裝構造的制造方法，其特征在于：所述預定材料為鉻；所述預定厚度介于0.5微米到3微米之間。

11.一種半導體封裝構造的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含下列步驟：

提供一基板條，所述基板條包含多個基板單元，每一所述基板單元的面積介于357.21平方毫米到364.81平方毫米之間；

設置多個芯片于所述多個基板單元上；

設置一封裝膠體于所述基板條上以包覆所述芯片；

形成一抗翹曲層于所述封裝膠體的一頂面上；以及

切割所述基板條以分離所述多個基板單元，進而制成多個半導體封裝構造，其中所述抗翹曲層與所述基板單元彼此絕緣，所以抗翹曲層由一預定材料以一預定厚度形成而導致在25℃到260℃之間的溫度下所述半導體封裝構造的翹曲改變量介于180微米到236微米之間。

12.如權利要求11所述的半導體封裝構造的制造方法，其特征在于：所述預定材料為鉻；所述預定厚度介于0.5微米到3微米之間。