[發(fā)明專利]像素界定層及制備方法、OLED基板、顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310159633.2 | 申請日: | 2013-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN103227190A | 公開(公告)日: | 2013-07-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 侯文軍;劉則 | 申請(專利權(quán))人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張?zhí)焓?/td> |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 像素 界定 制備 方法 oled 基板 顯示裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光二極管顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種像素界定層的制備方法及像素界定層、OLED基板、顯示裝置。
背景技術(shù)
有機電致發(fā)光二極管(OLED,Organic?Light?Emitting?Diode)是一種有機薄膜電致發(fā)光器件,其具有制備工藝簡單、成本低、發(fā)光效率高、易形成柔性結(jié)構(gòu)等優(yōu)點。因此,利用有機電致發(fā)光二極管的顯示技術(shù)已成為一種重要的顯示技術(shù)。
現(xiàn)有技術(shù)中,針對有機薄膜電致發(fā)光器件,其有機電致發(fā)光層形成方法有:一、真空蒸鍍方法,適用于有機小分子,其特點是有機電致發(fā)光層的形成不需要溶劑,薄膜厚度均一,但是設(shè)備投資大、材料利用率低、不適用于大尺寸產(chǎn)品的生產(chǎn);二、采用有機電致發(fā)光材料的溶液制成有機電致發(fā)光層,包括旋涂、噴墨打印、噴嘴涂覆法等,適用于聚合物材料和可溶性小分子,其特點是設(shè)備成本低,在大規(guī)模、大尺寸生產(chǎn)上優(yōu)勢突出。特別是噴墨打印技術(shù),能將溶液精準的噴墨到像素區(qū)中,形成有機電致發(fā)光層。但是其最大的難點是有機電致發(fā)光材料的溶液在像素區(qū)內(nèi)難以形成厚度均一的有機電致發(fā)光層。
在日本專利JP2008243406中公開了一種有機薄膜電致發(fā)光器件制備方法,其中,像素界定層(PDL)由兩層組成,第一層(下層)由無機親性材料(親性材料對有機電致發(fā)光材料的溶液有吸引性)組成,第二層(上層)由有機疏性材料(疏性材料對有機電致發(fā)光材料的溶液有排斥性)組成,采用兩層浸潤性不同的材料組成的像素界定層,能夠使有機電致發(fā)光材料的溶液精準地噴墨打印和形成厚度均一的有機電致發(fā)光材料薄膜;在制備像素界定層時需要先做無機親性材料層,在無機親性液材料層上制備有機疏性材料層,再將兩層材料通過構(gòu)圖工藝制成像素界定層。同樣,在歐洲專利EP0989778A1公開了在基底上形成兩層結(jié)構(gòu)的像素界定層的方法,通過使用等離子體共同處理,使之第一層(下層)具有高表面能(親性材料),第二層(上層)具有低表面能(疏性材料),也能滿足精確地噴墨打印和薄膜均一性的需求。
發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問題:兩層結(jié)構(gòu)的像素界定層制備要通過兩步完成制備,步驟繁瑣,需要投入不同的設(shè)備,尤其是涉及到親性材料,特別是無機親性材料時要用到等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD),設(shè)備昂貴。此外,由于有機無機材料之間存在界面問題,易發(fā)生分層。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題包括,針對現(xiàn)有的像素界定層的制備步驟繁瑣的問題,提供一種步驟簡單,容易實現(xiàn)的像素界定層的制備方法及像素界定層、OLED基板、顯示裝置。
解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種像素界定層的制備方法,包括如下步驟:
步驟1、將混合溶液形成在基底上,形成混合溶液薄膜;所述混合溶液包括溶劑以及溶解在溶劑中的親性材料、疏性材料;
步驟2、對上述混合溶液薄膜進行熱處理工藝,形成上部的親性材料的含量小于下部親性材料含量,上部疏性材料含量大于下部的疏性材料含量的像素界定材料層;
步驟3、通過構(gòu)圖工藝形成包括像素界定層的圖形。
本發(fā)明將親性材料與疏性材料及其溶劑制成混合溶液,故其可以一步形成上部的親性材料的含量小于下部親性材料含量,上部疏性材料含量大于下部的疏性材料含量的像素界定材料層,步驟簡單,適用性更廣。
優(yōu)選的是,所述溶劑包括親性材料溶解劑以及疏性材料溶解劑,所述親性材料溶解劑的沸點高于疏性材料溶解劑的沸點;所述步驟2具體包括:
對混合溶液薄膜先在第一溫度加熱,后于第二溫度加熱,形成上部的親性材料的含量小于下部親性材料含量,上部疏性材料含量大于下部的疏性材料含量的像素界定材料層,其中,第一溫度高于疏性材料溶解劑的沸點且低于親性材料溶解劑的沸點,第二溫度高于親性材料溶解劑的沸點。
優(yōu)選的是,所述疏性材料溶解劑體積比占溶劑總體積的30%~60%。
進一步優(yōu)選的是,所述親性材料溶解劑為N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺或二甲基亞砜中任意一種;
所述疏性材料溶解劑為四氫呋喃、二氯甲烷、三氯甲烷或丙酮中任意一種。
進一步優(yōu)選的是,所述第一溫度為10~30℃;所述第二溫度為150~500℃。
優(yōu)選的是,所述步驟2具體包括:
蒸干混合溶液薄膜中的溶劑,之后將其加熱到疏性材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以上,形成上部的親性材料的含量小于下部親性材料含量,上部疏性材料含量大于下部的疏性材料含量的像素界定材料層,其中疏性材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度低于親性材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





