[發明專利]像素界定層及制備方法、OLED基板、顯示裝置有效
| 申請號: | 201310159633.2 | 申請日: | 2013-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN103227190A | 公開(公告)日: | 2013-07-31 |
| 發明(設計)人: | 侯文軍;劉則 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;張天舒 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 界定 制備 方法 oled 基板 顯示裝置 | ||
1.一種像素界定層的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟1、將混合溶液形成在基底上,形成混合溶液薄膜;所述混合溶液包括溶劑以及溶解在溶劑中的親性材料、疏性材料;
步驟2、對上述混合溶液薄膜進行熱處理工藝,形成上部的親性材料的含量小于下部親性材料含量,上部疏性材料含量大于下部的疏性材料含量的像素界定材料層;
步驟3、通過構圖工藝形成包括像素界定層的圖形。
2.根據權利要求1所述的像素界定層的制備方法,其特征在于,所述溶劑包括親性材料溶解劑以及疏性材料溶解劑,所述親性材料溶解劑的沸點高于疏性材料溶解劑的沸點;所述步驟2具體包括:
對混合溶液薄膜先在第一溫度加熱,后于第二溫度加熱,形成上部的親性材料的含量小于下部親性材料含量,上部疏性材料含量大于下部的疏性材料含量的像素界定材料層,其中,第一溫度高于疏性材料溶解劑的沸點且低于親性材料溶解劑的沸點,第二溫度高于親性材料溶解劑的沸點。
3.根據權利要求2所述的像素界定層的制備方法,其特征在于,所述疏性材料溶解劑體積比占溶劑總體積的30%~60%。
4.根據權利要求2所述的像素界定層的制備方法,其特征在于,
所述親性材料溶解劑為N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺或二甲基亞砜中任意一種;
所述疏性材料溶解劑為四氫呋喃、二氯甲烷、三氯甲烷或丙酮中任意一種。
5.根據權利要求2所述的像素界定層的制備方法,其特征在于,
所述第一溫度為10~30℃;
所述第二溫度為150~500℃。
6.根據權利要求1所述的像素界定層的制備方法,其特征在于,所述步驟2具體包括:
去除混合溶液薄膜中的溶劑,之后將其加熱到疏性材料的玻璃化轉變溫度以上,形成上部的親性材料的含量小于下部親性材料含量,上部疏性材料含量大于下部的疏性材料含量的像素界定材料層,其中疏性材料的玻璃化轉變溫度低于親性材料的玻璃化轉變溫度。
7.根據權利要求6所述的像素界定層的制備方法,其特征在于,所述蒸干混合溶液薄膜中的溶劑的溫度低于疏性材料的玻璃化轉變溫度。
8.根據權利要求6所述的像素界定層的制備方法,其特征在于,所述疏性材料的玻璃化轉變溫度為150~300℃。
9.根據權利要求1~8中任意一項所述的像素界定層的制備方法,其特征在于,
所述親性材料為剛性聚合物;
所述疏性材料為柔性聚合物。
10.根據權利要求9所述的像素界定層的制備方法,其特征在于,
所述剛性聚合物為聚酰亞胺、雙酚A聚碳酸酯、主鏈中含有烷基的聚合物以及主鏈中含有環狀剛性結構的聚合物中的任意一種;
所述柔性聚合物為聚硅氧烷、含氟的聚烯烴、含氟的聚環氧烷烴中的任意一種。
11.根據權利要求10所述的像素界定層的制備方法,其特征在于,
所述含氟的聚烯烴為氟化聚丙烯、氟化聚1-丁烯、氟化聚4-甲基-1-戊烯中的任意一種;
所述含氟的聚環氧烷烴為氟化聚環氧乙烷或氟化聚環氧丙烷。
12.根據權利要求1~8中任意一項所述的像素界定層的制備方法,其特征在于,所述混合溶液中還包括光刻膠。
13.一種像素界定層,其特征在于,所述像素界定層是由權利要求1~12中任意一種制備方法制備的。
14.根據權利要求13所述的像素界定層,其特征在于,所述像素界定層為從上部到下部親性材料含量逐漸增高,疏性材料含量逐漸降低的結構。
15.根據權利要求13所述的像素界定層,其特征在于,所述像素界定層包括上層為疏性材料層,下層為親性材料層的兩層結構。
16.一種OLED基板,其特征在于,所述OLED基板包括權利要求13-15任一權利要求所述的像素界定層。
17.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求16所述的OLED基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





