[發明專利]一種在非晶硅薄膜表面形成織構化微晶銀的方法有效
| 申請號： | 201310159378.1 | 申請日： | 2013-05-03 |
| 公開（公告）號： | CN103268901A | 公開（公告）日： | 2013-08-28 |
| 發明（設計）人： | 汪遠昊 | 申請（專利權）人： | 深圳市萬業隆太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司： | 深圳中一專利商標事務所 44237 | 代理人： | 張全文 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市寶安區石巖*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 非晶硅 薄膜 表面 形成 織構化微晶銀 方法 | ||
1.一種在非晶硅薄膜表面形成織構化微晶銀的方法，包括以下步驟：
將醋酸銀與草酸溶解，配制成含有醋酸銀與草酸的前驅體溶液，其中，所述醋酸銀和草酸的質量比為(3.2～13.1)：(0.1～0.5)；
將所述前驅體溶液涂覆在非晶硅薄膜表面；
將涂覆處理后的非晶硅薄膜在200～300℃進行熱處理，在非晶硅薄膜表面形成織構化微晶銀。
2.如權利要求1所述的在非晶硅薄膜表面形成織構化微晶銀的方法，其特征在于：在配制所述前驅體溶液的步驟中，配制所述前驅體溶液所用的溶劑為異丙醇和叔丁醇中至少一種。
3.如權利要求2所述的在非晶硅薄膜表面形成織構化微晶銀的方法，其特征在于：在配制所述前驅體溶液的步驟中，所述草酸與所述溶劑的質量比為(0.1～0.5)：(15.7～47.1)。
4.如權利要求1所述的在非晶硅薄膜表面形成織構化微晶銀的方法，其特征在于：所述前驅體溶液涂覆在非晶硅薄膜表面的量為0.25～1.5g/cm2。
5.如權利要求1所述的在非晶硅薄膜表面形成織構化微晶銀的方法，其特征在于：所述熱處理溫度為250～300℃。
6.如權利要求1～5任一所述的在非晶硅薄膜表面形成織構化微晶銀的方法，其特征在于：所述熱處理時間為10～20h。
7.如權利要求1～5任一所述的在非晶硅薄膜表面形成織構化微晶銀的方法，其特征在于：在熱處理步驟之后，還包括對經熱處理后的非晶硅薄膜依次進行清洗和干燥處理的步驟。
8.如權利要求7所述的在非晶硅薄膜表面形成織構化微晶銀的方法，其特征在于：所述干燥處理是將清洗后的非晶硅薄膜在60～80℃下干燥10～12h。
9.如權利要求1～5任一項所述的在非晶硅薄膜表面形成織構化微晶銀的方法，其特征在于：所述織構化微晶銀的顆粒粒徑為400～500nm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
