[發明專利]一種堆棧芯片系統

無效

• 申請號: 201310158714.0
• 申請日: 2013-05-02
• 公開（公告）號: CN104134650A
• 公開（公告）日: 2014-11-05
• 發明（設計）人: 黃昭元;何岳風;楊名聲;陳輝煌
• 申請（專利權）人: 艾芬維顧問股份有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/525
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11369
• 代理人: 史霞

1.一種堆棧芯片系統，包含:

第一芯片;

第二芯片;

第一組硅穿孔(TSV)，連接該第一芯片與該第二芯片且包含至少一第一VSS硅穿孔、至少一第一VDD硅穿孔、復數第一訊號硅穿孔與至少一第一冗余硅穿孔;及

第二組硅穿孔(TSV)，連接該第一芯片與該第二芯片且包含至少一第二VSS硅穿孔、至少一第二VDD硅穿孔、復數第二訊號硅穿孔與至少一第二冗余硅穿孔，

其中該第一組硅穿孔的所有硅穿孔皆由用以選擇該至少一第一冗余硅穿孔并繞道該第一組硅穿孔之剩余硅穿孔中的至少一硅穿孔的第一選擇電路所耦合，且

其中該至少一第一冗余硅穿孔與該至少一第二冗余硅穿孔系由用以允許此兩硅穿孔互相替換的第二選擇電路所耦合。

2.如權利要求1所述的堆棧芯片系統，其特征在于，該第一組硅穿孔形成第一數組且該第二組硅穿孔形成第二數組。

3.如權利要求2所述的堆棧芯片系統，其特征在于，該第一數組與該第二數組具有相同數量或不同數量的硅穿孔。

4.如權利要求1所述的堆棧芯片系統，其特征在于，該第一組硅穿孔之該剩余硅穿孔中的該至少一硅穿孔為無效的。

5.如權利要求1所述的堆棧芯片系統，其特征在于，該第一選擇電路在該第一芯片中包含第一數量的2:1多路復用器并在該第二芯片中包含第二數量的2:1多路復用器，其中該第一數量不同于該第二數量。

6.如權利要求1所述的堆棧芯片系統，其特征在于，該第一選擇電路在該第一芯片中更包含第一數量的緩沖器并在該第二芯片中包含第二數量的緩沖器，其中該第一數量系與該第二數量相同。

7.如權利要求1所述的堆棧芯片系統，其特征在于，該第一芯片與第二芯片中的一者為訊號輸入端而該第一芯片與該第二芯片中的另一者為訊號輸出端。

8.如權利要求1所述的堆棧芯片系統，更包含:

第三組硅穿孔(TSV)，連接該第一芯片與該第二芯片且包含至少一第三VSS硅穿孔、至少一第三VDD硅穿孔、復數第三訊號硅穿孔與至少一第三冗余硅穿孔，

其中該至少一第三冗余硅穿孔(TSV)也是借由用以允許被耦合這些硅穿孔互相替換的第二選擇電路所耦合。

9.如權利要求8所述的堆棧芯片系統，其特征在于，該第二選擇電路在該第一芯片中包含復數多晶器并在該第二芯片中包含復數多路復用器。

10.如權利要求8所述的堆棧芯片系統，其特征在于，該第二選擇電路在該第一芯片中包含復數緩沖器并在該第二芯片中包含復數緩沖器。