[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310158489.0
• 申請日: 2013-05-02
• 公開（公告）號: CN103811497B
• 公開（公告）日: 2018-11-27
• 發明（設計）人: 李起洪;皮昇浩;樸寅洙
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11582
• 分類號: H01L27/11582;H01L27/11519;H01L27/11556;H01L23/522;H01L27/11551;H01L27/11565;H01L29/792
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;周曉雨

1.一種半導體器件，包括：

第一導電層；

至少一個第一縫隙，所述至少一個第一縫隙穿過所述第一導電層，并且被配置成以存儲塊為單位來劃分所述第一導電層；

第二導電層，所述第二導電層層疊在所述第一導電層上；

第二縫隙，所述第二縫隙在與所述第一縫隙不同的位置穿過所述第二導電層，并且被配置成以所述存儲塊為單位來劃分所述第二導電層；

至少一個第三導電層，所述至少一個第三導電層形成在所述第一導電層中；以及

至少一個第三縫隙，所述至少一個第三縫隙位于相應存儲塊的單元區中，并且被配置成具有穿通所述第三導電層的深度。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一縫隙和所述第二縫隙彼此不重疊。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一導電層是管道柵，至少一個最上面的第二導電層是選擇線，其他的第二導電層是字線。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述第一導電層是源極層，至少一個最上面的第二導電層是上選擇線，至少一個最下面的第二導電層是下選擇線，其他的第二導電層是字線。

5.一種半導體器件，包括：

第一源極層；

至少一個第一縫隙，所述至少一個第一縫隙穿過所述第一源極層，并且被配置成以存儲塊為單位來劃分所述第一源極層；

導電層，所述導電層層疊在所述第一源極層上；

至少一個第二縫隙，所述至少一個第二縫隙在與所述第一縫隙不同的位置穿過所述導電層，并且被配置成以所述存儲塊為單位來劃分所述導電層；

至少一個第二源極層，所述至少一個第二源極層形成在所述第一源極層中；以及

至少一個第三縫隙，所述至少一個第三縫隙位于相應存儲塊的單元區中，并且被配置成具有穿通所述第二源極層的深度。

6.如權利要求5所述的半導體器件，其中，所述第一縫隙與所述第二縫隙不重疊。

7.如權利要求5所述的半導體器件，還包括：

溝道層，所述溝道層與所述第二源極層連接，并且穿通所述導電層；

存儲器層，所述存儲器層被配置成包圍所述溝道層和所述第二源極層的外表面；以及

至少一個第三源極層，所述至少一個第三源極層形成在所述第二源極層中，并且穿過所述第二源極層和所述存儲器層與所述第一源極層連接。

8.如權利要求7所述的半導體器件，還包括：

至少一個第一接觸插塞，所述至少一個第一接觸插塞形成在所述第三縫隙中，并且與所述第三源極層連接。

9.如權利要求5所述的半導體器件，還包括：

至少一個第四縫隙，所述至少一個第四縫隙位于相應存儲塊的單元區中，并且被配置成具有穿通所述導電層的深度。

10.如權利要求5所述的半導體器件，還包括：

第二接觸插塞，所述第二接觸插塞位于相應存儲塊的接觸區中，并且分別與所述導電層連接。

11.如權利要求5所述的半導體器件，還包括：

第五縫隙，所述第五縫隙位于相應存儲塊的接觸區中。

12.如權利要求11所述的半導體器件，其中，所述第五縫隙具有線形、包括至少一個突出部分的線形、及“c”形中的一種，或者它們的組合。

13.如權利要求12所述的半導體器件，還包括：

第二接觸插塞，所述第二接觸插塞位于相應存儲塊的接觸區中，并且分別與所述導電層連接，

其中，所述第二接觸插塞位于所述突出部分之間或所述線形部分之間。