[發明專利]半導體結構的形成方法

有效

• 申請號: 201310157910.6
• 申請日: 2013-04-28
• 公開（公告）號: CN104124139A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 張城龍;張翼英;何其旸
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成第一介質層；

刻蝕第一介質層，形成若干分立的支撐層；

在各支撐層兩側形成側墻；

在所述半導體襯底上形成犧牲層，所述犧牲層覆蓋所述側墻及所述支撐層；

進行烘烤工藝，硬化犧牲層，所述犧牲層的材料為DUO或Si-ARC；

研磨所述犧牲層至暴露出所述支撐層頂部；

去除所述犧牲層和所述支撐層。

2.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述犧牲層的工藝為旋涂工藝。

3.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述DUO為DUO^TM248或DUO^TM193FS。

4.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述烘烤工藝采用的溫度為150℃～200℃，時間為30s～60s。

5.如權利要求1所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，研磨所述犧牲層的方法為化學機械研磨工藝。

6.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成第一介質層；

刻蝕第一介質層，形成若干分立的支撐層；

在各支撐層兩側形成側墻；

去除所述側墻之間的所述支撐層；

在所述半導體襯底上形成犧牲層，所述犧牲層覆蓋所述側墻；

進行烘烤工藝，硬化犧牲層，所述犧牲層的材料為DUO或Si-ARC；

研磨所述犧牲層至暴露出所述側墻頂部；

去除所述犧牲層。

7.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述犧牲層的工藝為旋涂工藝。

8.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述DUO為DUO^TM248或DUO^TM193FS。

9.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述烘烤工藝采用的溫度為150℃～200℃，時間為30s～60s。

10.如權利要求6所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，研磨所述犧牲層的方法為化學機械研磨工藝。