[發(fā)明專利]鰭式雙極結(jié)型晶體管及其形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310156947.7
• 申請日: 2013-04-28
• 公開（公告）號: CN104124153A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陶佳佳;三重野文健;李勇;張帥;黃新運;居建華
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/73;H01L29/06
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種鰭式雙極結(jié)型晶體管的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成摻雜有雜質(zhì)的鰭部，作為第一區(qū)；

在所述第一區(qū)上形成基區(qū)；

在所述基區(qū)上或基區(qū)內(nèi)形成第二區(qū)，所述第一區(qū)為集電區(qū)、第二區(qū)為發(fā)射區(qū)或者所述第一區(qū)為發(fā)射區(qū)、第二區(qū)為集電區(qū)。

2.如權(quán)利要求1所述的鰭式雙極結(jié)型晶體管的形成方法，其特征在于，在所述第一區(qū)上形成基區(qū)包括：

在所述第一區(qū)上形成圖形化的掩膜層，定義出基區(qū)的形成位置；

以所述圖形化的掩膜層為掩膜，使用外延沉積法、化學(xué)氣相沉積法或物理氣相沉積法在所述第一區(qū)上形成基區(qū)材料層；

在形成所述基區(qū)材料層期間進行原位摻雜，或在形成所述基區(qū)材料層后，對所述基區(qū)材料層進行摻雜，形成基區(qū)。

3.如權(quán)利要求1所述的鰭式雙極結(jié)型晶體管的形成方法，其特征在于，在所述基區(qū)上形成第二區(qū)包括：

在所述基區(qū)上形成圖形化的掩膜層，定義出第二區(qū)的形成位置；

以所述圖形化的掩膜層為掩膜，使用外延沉積法、化學(xué)氣相沉積法或物理氣相沉積法在所述基區(qū)上形成第二區(qū)材料層；

在形成所述第二區(qū)材料層期間進行原位摻雜，或在形成所述第二區(qū)材料層后，對所述第二區(qū)材料層進行摻雜，形成第二區(qū)。

4.如權(quán)利要求1所述的鰭式雙極結(jié)型晶體管的形成方法，其特征在于，在所述基區(qū)內(nèi)形成第二區(qū)包括：

在所述基區(qū)上形成圖形化的掩膜層，定義出第二區(qū)的形成位置；

以所述圖形化的掩膜層為掩膜，使用離子注入法或熱擴散法在所述基區(qū)內(nèi)形成第二區(qū)。

5.如權(quán)利要求1所述的鰭式雙極結(jié)型晶體管的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成摻雜有雜質(zhì)的鰭部的方法為：

使用圖形化基底的方法形成鰭部；

在形成所述鰭部后，對所述鰭部進行摻雜。

6.如權(quán)利要求1所述的鰭式雙極結(jié)型晶體管的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成摻雜有雜質(zhì)的鰭部的方法為：

采用外延生長形成鰭部，在形成所述鰭部期間進行原位摻雜；或在形成所述鰭部后，對所述鰭部進行摻雜。

7.如權(quán)利要求1所述的鰭式雙極結(jié)型晶體管的形成方法，其特征在于，所述鰭式雙極結(jié)型晶體管為PNP型晶體管，所述基區(qū)的材料為SiC，基區(qū)摻雜的雜質(zhì)為n型雜質(zhì)，所述第一區(qū)和第二區(qū)的材料為SiGe，所述第一區(qū)和第二區(qū)摻雜的雜質(zhì)為p型雜質(zhì)；

或者，所述鰭式雙極結(jié)型晶體管為NPN型晶體管，所述基區(qū)的材料為SiGe，所述基區(qū)摻雜的雜質(zhì)為p型雜質(zhì)，所述第一區(qū)和第二區(qū)的材料SiC，所述第一區(qū)和第二區(qū)摻雜的雜質(zhì)為n型雜質(zhì)。

8.如權(quán)利要求7所述的鰭式雙極結(jié)型晶體管的形成方法，其特征在于，所述n型雜質(zhì)為磷或砷，所述p型雜質(zhì)為硼或鎵。

9.如權(quán)利要求1所述的鰭式雙極結(jié)型晶體管的形成方法，其特征在于，所述基區(qū)的長度小于第一區(qū)的長度，所述第二區(qū)的長度小于所述基區(qū)的長度。

10.如權(quán)利要求1所述的鰭式雙極結(jié)型晶體管的形成方法，其特征在于，還包括：在所述第一區(qū)、第二區(qū)和基區(qū)上形成接觸電極。

11.如權(quán)利要求10所述的鰭式雙極結(jié)型晶體管的形成方法，其特征在于，所述接觸電極的材料為W。

12.一種鰭式雙極結(jié)型晶體管，其特征在于，包括：

基底；

位于基底上摻雜有雜質(zhì)的鰭部，所述鰭部為第一區(qū)；

位于所述第一區(qū)上基區(qū)；

位于所述基區(qū)上或基區(qū)內(nèi)的第二區(qū)，所述第一區(qū)為發(fā)射區(qū)、第二區(qū)為集電區(qū)或者第一區(qū)為集電區(qū)、第二區(qū)為發(fā)射區(qū)。

13.如權(quán)利要求12所述的鰭式雙極結(jié)型晶體管，其特征在于，所述鰭式雙極結(jié)型晶體管為PNP型晶體管，所述基區(qū)的材料為SiC，所述基區(qū)摻雜的雜質(zhì)為n型雜質(zhì)，所述第一區(qū)和第二區(qū)的材料為SiGe，所述第一區(qū)和第二區(qū)摻雜的雜質(zhì)為p型雜質(zhì)；

或者，所述鰭式雙極結(jié)型晶體管為NPN型晶體管，所述基區(qū)的材料為SiGe，所述基區(qū)摻雜的雜質(zhì)為p型雜質(zhì)，所述第一區(qū)和第二區(qū)的材料SiC，所述第一區(qū)和第二區(qū)摻雜的雜質(zhì)為n型雜質(zhì)。

14.如權(quán)利要求13所述的鰭式雙極結(jié)型晶體管，其特征在于，所述n型雜質(zhì)為磷或砷，所述p型雜質(zhì)為硼或鎵。