[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310156840.2
• 申請日: 2013-04-28
• 公開（公告）號: CN104124165B
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許杰
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京藍(lán)智輝煌知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導(dǎo)體器件制造方法，包括：

在襯底上形成沿第一方向延伸的多個(gè)鰭片和鰭片之間的溝槽；

在溝槽中填充成應(yīng)力襯層；

在應(yīng)力襯層中形成沿第二方向延伸的開口；

在開口中形成沿第二方向延伸并且跨越多個(gè)鰭片的柵極堆疊，應(yīng)力襯層直接面接觸柵極堆疊沿第一方向的兩側(cè)。

2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，應(yīng)力襯層的材質(zhì)包括氮化硅、DLC及其組合。

3.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，對于PFET而言應(yīng)力襯層具有張應(yīng)力，對于NFET而言應(yīng)力襯層具有壓應(yīng)力。

4.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，形成柵極堆疊之后進(jìn)一步包括：

在柵極堆疊沿第一方向的兩側(cè)形成柵極側(cè)墻；

在柵極側(cè)墻沿第一方向兩側(cè)的鰭片頂部形成源漏區(qū)；

在源漏區(qū)上形成金屬硅化物。

5.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件制造方法，其中，柵極堆疊包括高k材料的柵極絕緣層、功函數(shù)調(diào)節(jié)層以及電阻調(diào)節(jié)層。

6.一種半導(dǎo)體器件，包括：

襯底上沿第一方向延伸的多個(gè)鰭片；

沿第二方向延伸并且跨越了每個(gè)鰭片的柵極堆疊；

位于柵極沿第一方向的兩側(cè)的鰭片上的源漏區(qū)；

其中，多個(gè)鰭片之間、柵極堆疊沿第一方向的兩側(cè)具有應(yīng)力襯層，應(yīng)力襯層直接面接觸柵極堆疊沿第一方向的兩側(cè)。

7.如權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件，其中，應(yīng)力襯層的材質(zhì)包括氮化硅、DLC及其組合。

8.如權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件，其中，對于PFET而言應(yīng)力襯層具有張應(yīng)力，對于NFET而言應(yīng)力襯層具有壓應(yīng)力。

9.如權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件，其中，柵極堆疊包括高k材料的柵極絕緣層、功函數(shù)調(diào)節(jié)層以及電阻調(diào)節(jié)層。

10.如權(quán)利要求6的半導(dǎo)體器件，其中，源漏區(qū)上具有金屬硅化物。