[發(fā)明專(zhuān)利]打線(xiàn)工藝的加熱座及加熱裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310156815.4 | 申請(qǐng)日: | 2013-05-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103258772A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 汪虞 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 蘇州日月新半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/683 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海翼勝專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 215021 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 工藝 加熱 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種打線(xiàn)工藝的加熱座及加熱裝置,特別是涉及一種在封裝打線(xiàn)工藝期間用來(lái)臨時(shí)性承載固定及加熱一封裝載體的加熱裝置及其加熱座。
背景技術(shù)
在現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝制造過(guò)程中,通常先將半導(dǎo)體晶圓切割成數(shù)個(gè)半導(dǎo)體芯片,隨后將各半導(dǎo)體芯片黏固在導(dǎo)線(xiàn)架(leadframe)或基板(substrate)上,以進(jìn)行打線(xiàn)接合(wire?bonding)程序。最后,再利用封膠材料包覆半導(dǎo)體芯片、導(dǎo)線(xiàn)以及導(dǎo)線(xiàn)架或基板的部份表面,如此即可大致完成半導(dǎo)體封裝構(gòu)造的半成品。
一般來(lái)說(shuō),在打線(xiàn)接合程序期間,會(huì)先提供熱能至一加熱座,接著,將導(dǎo)線(xiàn)架條(或基板)放置到所述加熱座上,使所述加熱座加熱所述導(dǎo)線(xiàn)架條的引腳。接著,再利用數(shù)條導(dǎo)線(xiàn)(如金線(xiàn)或銅線(xiàn))將導(dǎo)線(xiàn)架條上的半導(dǎo)體芯片的焊墊及對(duì)應(yīng)的引腳電性連接在一起,其中所述加熱塊提供的高溫即可增加所述引腳的溫度,從而提高焊接所述導(dǎo)線(xiàn)時(shí)的共晶效果,使所述導(dǎo)線(xiàn)容易接合到所述引腳上。
然而,目前用于打線(xiàn)工藝的加熱裝置使用的加熱座均為一體成型制造的金屬塊,當(dāng)所述加熱座接收其下方一加熱源的熱能時(shí),其較靠近加熱源的中央部位相較于較遠(yuǎn)離加熱源的邊緣部位,將會(huì)具有相對(duì)較高的溫度。因此,所述加熱座一般在中央部位與邊緣部位之間會(huì)存在15度~30度之間的溫度差,也就是說(shuō),所述加熱座無(wú)法提供一均勻的加熱環(huán)境,進(jìn)而影響導(dǎo)線(xiàn)連接作業(yè)時(shí)的穩(wěn)定性與一致性。
故,有必要提供一種打線(xiàn)工藝的加熱座及加熱裝置,以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種打線(xiàn)工藝的加熱座及加熱裝置,以有效提供一均勻的加熱環(huán)境,進(jìn)而維持導(dǎo)線(xiàn)連接作業(yè)時(shí)的穩(wěn)定性與一致性。
為達(dá)成前述目的,本發(fā)明一實(shí)施例提供一種打線(xiàn)工藝的加熱座,其包含:一底座,其表面形成有一凹陷部;一中間導(dǎo)熱板,設(shè)置于所述凹陷部?jī)?nèi)并具有至少一真空吸槽及一通孔,所述通孔連通所述至少一真空吸槽;以及一頂板,設(shè)置于所述凹陷部?jī)?nèi)并對(duì)應(yīng)貼附于所述中間導(dǎo)熱板上,且所述中間導(dǎo)熱板的邊緣與所述凹陷部的邊緣及所述頂板的邊緣密封連接,并所述頂板具有多個(gè)微吸附孔對(duì)應(yīng)連通所述中間導(dǎo)熱板的真空吸槽,其中所述中間導(dǎo)熱板的導(dǎo)熱性分別高于所述頂板及底座的導(dǎo)熱性。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,所述中間導(dǎo)熱板的邊緣與所述凹陷部的邊緣及所述頂板的邊緣通過(guò)一激光焊接道連接在一起。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,所述底座具有至少一真空吸孔,其中所述底座的真空吸孔貫穿形成于所述底座的凹陷部的表面及所述底座的下表面之間,并通過(guò)所述中間導(dǎo)熱板的通孔連通所述中間導(dǎo)熱板的真空吸槽。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,所述底座材質(zhì)為鐵、鋁、鎳或其合金;所述中間導(dǎo)熱板為一銅板;所述頂板材質(zhì)為鐵、鋁、鎳或其合金。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,所述中間導(dǎo)熱板的真空吸槽包含至少一長(zhǎng)條的縱向吸槽與至少一長(zhǎng)條的橫向吸槽;所述橫向吸槽垂直連通所述縱向吸槽,其中所述橫向吸槽或縱向吸槽對(duì)應(yīng)連通所述底座的真空吸孔。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,所述中間導(dǎo)熱板的真空吸槽為螺旋狀或同心圓狀。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,所述頂板部分凸出于所述底座的上表面;所述頂板的微吸附孔的孔徑介于0.15毫米~0.25毫米之間。
再者,本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種打線(xiàn)工藝的加熱裝置,其包含:一加熱座,包含一底座、一中間導(dǎo)熱板及一頂板;所述底座表面形成有一凹陷部;所述中間導(dǎo)熱板設(shè)置于所述凹陷部?jī)?nèi)并具有至少一真空吸槽及一通孔,所述通孔連通所述至少一真空吸槽;所述頂板設(shè)置于所述凹陷部?jī)?nèi)并對(duì)應(yīng)貼附于所述中間導(dǎo)熱板上,且所述中間導(dǎo)熱板的邊緣與所述凹陷部的邊緣及所述頂板的邊緣密封連接,并所述頂板具有多個(gè)微吸附孔對(duì)應(yīng)連通所述中間導(dǎo)熱板的真空吸槽,其中所述中間導(dǎo)熱板的導(dǎo)熱性分別高于所述頂板及底座的導(dǎo)熱性;以及一壓板,配置于所述加熱座的上方,以從上方對(duì)應(yīng)壓緊一封裝載體,使所述封裝載體被夾持于所述加熱座與所述壓板之間。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,所述壓板具有一中空的打線(xiàn)窗口,所述壓板的打線(xiàn)窗口曝露所述封裝載體欲進(jìn)行打線(xiàn)作業(yè)的部位。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中,所述底座下表面設(shè)有至少一加熱組件。
本發(fā)明的打線(xiàn)工藝的加熱座及加熱裝置通過(guò)所述底座與所述頂板之間的所述中間導(dǎo)熱板的良好導(dǎo)熱性,使得所述底座傳遞上來(lái)的熱能經(jīng)過(guò)均勻分散后才傳導(dǎo)到所述頂板,讓所述頂板的中心溫度與邊緣溫度差異縮小,進(jìn)而提供一穩(wěn)定均勻的加熱環(huán)境。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的打線(xiàn)工藝的加熱裝置的結(jié)構(gòu)分解示意圖。
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H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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