[發明專利]打線工藝的加熱座及加熱裝置有效
| 申請號: | 201310156815.4 | 申請日: | 2013-05-02 |
| 公開(公告)號: | CN103258772A | 公開(公告)日: | 2013-08-21 |
| 發明(設計)人: | 汪虞 | 申請(專利權)人: | 蘇州日月新半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 215021 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 工藝 加熱 裝置 | ||
1.一種打線工藝的加熱座,其特征在于:所述加熱座包含:
一底座,其表面形成有一凹陷部;
一中間導熱板,設置于所述凹陷部內并具有至少一真空吸槽及一通孔,所述通孔連通所述至少一真空吸槽;以及
一頂板,設置于所述凹陷部內并對應貼附于所述中間導熱板上,且所述中間導熱板的邊緣與所述凹陷部的邊緣及所述頂板的邊緣密封連接,并所述頂板具有多個微吸附孔對應連通所述中間導熱板的真空吸槽;
其中所述中間導熱板的導熱性分別高于所述頂板及底座的導熱性。
2.如權利要求1所述的打線工藝的加熱座,其特征在于:所述中間導熱板的邊緣與所述凹陷部的邊緣及所述頂板的邊緣通過一激光焊接道連接在一起。
3.如權利要求1所述的打線工藝的加熱座,其特征在于:所述底座具有至少一真空吸孔,其中所述底座的真空吸孔貫穿形成于所述底座的凹陷部的表面及所述底座的下表面之間,并通過所述中間導熱板的通孔連通所述中間導熱板的真空吸槽。
4.如權利要求1所述的打線工藝的加熱座,其特征在于:所述底座材質為鐵、鋁、鎳或其合金;所述中間導熱板為一銅板;所述頂板材質為鐵、鋁、鎳或其合金。
5.如權利要求1所述的打線工藝的加熱座,其特征在于:所述中間導熱板的真空吸槽包含至少一長條的縱向吸槽與至少一長條的橫向吸槽;所述橫向吸槽垂直連通所述縱向吸槽,其中所述橫向吸槽或縱向吸槽對應連通所述底座的真空吸孔。
6.如權利要求5所述的打線工藝的加熱座,其特征在于:所述中間導熱板的真空吸槽為螺旋狀或同心圓狀。
7.如權利要求6所述的打線工藝的加熱座,其特征在于:所述頂板部分凸出于所述底座的上表面;所述頂板的微吸附孔的孔徑介于0.15毫米~0.25毫米之間。
8.一種打線工藝的加熱裝置,其特征在于:所述加熱裝置包含:一加熱座,包含一底座、一中間導熱板及一頂板;所述底座表面形成有一凹陷部;所述中間導熱板設置于所述凹陷部內并具有至少一真空吸槽及一通孔,所述通孔連通所述至少一真空吸槽;所述頂板設置于所述凹陷部內并對應貼附于所述中間導熱板上,且所述中間導熱板的邊緣與所述凹陷部的邊緣及所述頂板的邊緣密封連接,并所述頂板具有多個微吸附孔對應連通所述中間導熱板的真空吸槽,其中所述中間導熱板的導熱性分別高于所述頂板及底座的導熱性;以及
一壓板,配置于所述加熱座的上方,以從上方對應壓緊一封裝載體,使所述封裝載體被夾持于所述加熱座與所述壓板之間。
9.如權利要求8所述的打線工藝的加熱裝置,其特征在于:所述壓板具有一中空的打線窗口,所述壓板的打線窗口曝露所述封裝載體欲進行打線作業的部位。
10.如權利要求8所述的打線工藝的加熱裝置,其特征在于:所述底座下表面設有至少一加熱組件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





