[發(fā)明專利]集成電路布局無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310156761.1 | 申請日: | 2013-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN104124241A | 公開(公告)日: | 2014-10-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 黃昭元;何岳風(fēng);楊名聲;陳輝煌 | 申請(專利權(quán))人: | 艾芬維顧問股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/367 |
| 代理公司: | 北京遠(yuǎn)大卓悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 史霞 |
| 地址: | 中國臺灣新*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 集成電路 布局 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種集成電路布局,尤其涉及一種具有硅穿孔的集成電路布局。
背景技術(shù)
為了節(jié)省寶貴的布局空間或是增加內(nèi)聯(lián)機(jī)的效率,可將多個集成電路(IC)芯片堆棧在一起成為一個IC封裝結(jié)構(gòu)。為了達(dá)到此目的,可使用一種三維(3D)堆棧封裝技術(shù)來將復(fù)數(shù)集成電路芯片封裝在一起。此種三維(3D)堆棧封裝技術(shù)廣泛地使用到硅穿孔(TSV)。硅穿孔(TSV)是一種垂直導(dǎo)電通孔,其可以完全貫穿硅晶圓、硅板、任何材料所制成之襯底或芯片。現(xiàn)今,3D集成電路(3D?IC)被廣用至許多的領(lǐng)域如內(nèi)存堆棧、影像感測芯片等。
雖然硅穿孔有許多優(yōu)點,但其亦為3D?IC的結(jié)構(gòu)帶來許多問題如熱不匹配、機(jī)械應(yīng)力、散熱問題等。現(xiàn)今,所有的電子裝置皆競相微縮,若硅穿孔所產(chǎn)生的多余熱累積在芯片內(nèi)無法消散,會是一大問題。因此,需要一個解決方案來改善熱消散效率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及一種集成電路布局,包含:VDD硅穿孔(VDD?TSV),用以耦合正操作電壓(VDD?TSV);訊號硅穿孔(訊號TSV)用以耦合操作訊號;復(fù)數(shù)VSS硅穿孔,位于該VDD?TSV與該訊號TSV附近且用以耦合操作電壓VSS;及一或多個重分布聯(lián)機(jī)(RDL),將該復(fù)數(shù)VSS硅穿孔連接在一起并形成圍繞該VDD硅穿孔與該訊號硅穿孔的類網(wǎng)狀散熱結(jié)構(gòu)。
提供一種集成電路布局,包含:VDD硅穿孔(VDD?TSV),用以耦合正操作電壓(VDD?TSV);VSS硅穿孔(VSS?TSV),用以耦合操作電壓VSS;復(fù)數(shù)訊號硅穿孔(訊號TSV),位于該VDD?TSV與該VSS?TSV附近且用以耦合操作訊號;及多個重分布聯(lián)機(jī)(RDL),每一者將使用相同訊號的該訊號硅穿孔連接在一起以在該VDD硅穿孔與該VSS硅穿孔附近形成線性散熱結(jié)構(gòu)。
附圖說明
圖1顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的集成電路布局的一部分背側(cè)概圖;
圖2顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的圖1所示的結(jié)構(gòu)橫剖面概圖;
圖3顯示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的圖1所示的結(jié)構(gòu)橫剖面概圖;
圖4顯示根據(jù)本發(fā)明一實施例的集成電路布局的背側(cè)概圖;
圖5顯示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的集成電路布局的背側(cè)概圖;
圖6顯示根據(jù)本發(fā)明更另一實施例的集成電路布局的背側(cè)概圖;
圖7顯示根據(jù)本發(fā)明更另一實施例的集成電路布局的背側(cè)概圖;
圖8顯示根據(jù)本發(fā)明更另一實施例的集成電路布局的背側(cè)概圖;
圖9顯示根據(jù)本發(fā)明更另一實施例的集成電路布局的背側(cè)概圖;
圖10顯示根據(jù)本發(fā)明更另一實施例的集成電路布局的背側(cè)概圖。
具體實施方式
下面將詳細(xì)地說明本發(fā)明的較佳實施例,凡本文中所述的組件、組件子部、結(jié)構(gòu)、材料、配置等皆可不依說明的順序或所屬的實施例而任意搭配成新的實施例,這些實施例當(dāng)屬本發(fā)明之范疇。在閱讀了本發(fā)明后,熟知此項技藝者當(dāng)能在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),對上述的組件、組件子部、結(jié)構(gòu)、材料、配置等作些許的更動與潤飾,因此本發(fā)明之專利保護(hù)范圍須視本權(quán)利要求書所附之權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn),且這些更動與潤飾當(dāng)落在本發(fā)明之權(quán)利要求內(nèi)。
本發(fā)明的實施例及圖示眾多,為了避免混淆,類似的組件系以相同或相似的標(biāo)號示之。圖示意在傳達(dá)本發(fā)明的概念及精神,故圖中的所顯示的距離、大小、比例、形狀、連接關(guān)系….等皆為示意而非實況,所有能以相同方式達(dá)到相同功能或結(jié)果的距離、大小、比例、形狀、連接關(guān)系….等皆可視為等效物而采用。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





