[發明專利]集成電路布局無效
| 申請號： | 201310156761.1 | 申請日： | 2013-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN104124241A | 公開（公告）日： | 2014-10-29 |
| 發明（設計）人： | 黃昭元;何岳風;楊名聲;陳輝煌 | 申請（專利權）人： | 艾芬維顧問股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 中國臺灣新*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成電路 布局 | ||
1.一種集成電路布局，包含：
VDD硅穿孔(VDD?TSV)，用以耦合正操作電壓(VDD?TSV)；
訊號硅穿孔(訊號TSV)用以耦合操作訊號；
復數VSS硅穿孔，位于該VDD?TSV與該訊號TSV附近且用以耦合操作電壓VSS；及
一或多個重分布聯機(RDL)，將該復數VSS硅穿孔連接在一起并形成圍繞該VDD硅穿孔與該訊號硅穿孔的類網狀散熱結構。
2.如權利要求1所述的集成電路布局，其特征在于，該VDD硅穿孔、該訊號硅穿孔與該復數VSS硅穿孔形成格柵且每一者皆站在格點上。
3.如權利要求2所述的集成電路布局，其特征在于，連接該復數VSS硅穿孔的重分布聯機形成格柵的水平與垂直網格線。
4.如權利要求3所述的集成電路布局，其特征在于，該水平與垂直網格線形成用以包含至少一VDD硅穿孔及/或至少一訊號硅穿孔的復數VDD及/或訊號免除區域。
5.如權利要求2所述的集成電路布局，其特征在于，連接該復數VSS硅穿孔的該重分布聯機具有傾斜走向。
6.一種集成電路布局，包含：
VDD硅穿孔(VDD?TSV)，用以耦合正操作電壓(VDD?TSV)；
VSS硅穿孔(VSS?TSV)，用以耦合操作電壓VSS；
復數訊號硅穿孔(訊號TSV)，位于該VDD?TSV與該VSS?TSV附近且用以耦合操作訊號；及
多個重分布聯機(RDL)，每一該重分布聯機將使用相同訊號的該訊號硅穿孔連接在一起以在該VDD硅穿孔與該VSS硅穿孔附近形成線性散熱結構。
7.如權利要求6所述的集成電路布局，其特征在于，連接該訊號硅穿孔的重分布聯機為第一層級之重分布聯機。
8.如權利要求7所述的集成電路布局，更包含借由第二層級之重分布聯機而連接至該VDD硅穿孔的另一VDD硅穿孔及借由第二層級之重分布聯機而連接至該VSS硅穿孔的另一VSS硅穿孔。
9.如權利要求6所述的集成電路布局，更包含至少一冗余硅穿孔。
10.如權利要求6所述的集成電路布局，更包含由第一層級之重分布聯機所連接的復數冗余硅穿孔。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
