[發(fā)明專利]平面型功率MOS器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310153946.7 | 申請日： | 2013-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN103280456A | 公開（公告）日： | 2013-09-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳偉元 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州市職業(yè)大學(xué) |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 蘇州銘浩知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32246 | 代理人： | 張一鳴 |
| 地址： | 215104 江蘇省蘇州市吳中*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 平面 功率 mos 器件 | ||
1.一種平面型功率MOS器件，包括位于P型的襯底層內(nèi)的P型阱層和N型輕摻雜層，所述P型阱層與N型輕摻雜層在水平方向相鄰從而構(gòu)成一PN結(jié)，一源極區(qū)位于所述P型阱層，一漏極區(qū)位于所述襯底層內(nèi)，位于所述源極區(qū)和N型輕摻雜層之間區(qū)域的P型阱層上方設(shè)有柵氧層，此柵氧層上方設(shè)有一柵極區(qū)；其特征在于：所述源極區(qū)與N型輕摻雜層之間且位于P型阱層上部開有至少兩個凹槽，靠近源極區(qū)的凹槽刻蝕深度小于靠近所述N型輕摻雜層的凹槽刻蝕深度，且若干個所述凹槽的刻蝕深度由源極區(qū)至N型輕摻雜層方向依次增加；所述凹槽的側(cè)墻區(qū)和頂墻區(qū)的摻雜濃度相等，且為凹槽的底部區(qū)雜濃度的82~90%之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面型功率MOS器件，其特征在于：所述凹槽的刻蝕深度為源極區(qū)結(jié)深的1/3~1/4之間，靠近所述源極區(qū)的凹槽刻蝕深度為源極區(qū)結(jié)深的1/3~1/3.5，靠近所述N型輕摻雜層的凹槽刻蝕深度為源極區(qū)結(jié)深的1/3.5~1/4。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面型功率MOS器件，其特征在于：所述N型輕摻雜層（3）與P型輕摻雜區(qū)（6）的摻雜濃度比例為：1：0.8~0.9。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面型功率MOS器件，其特征在于：所述P型阱層（2）和N型輕摻雜層（3）的結(jié)深比例為2：1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平面型功率MOS器件，其特征在于：所述漏極區(qū)位于所述N型輕摻雜層內(nèi)。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
