[發(fā)明專利]陣列式片狀電阻器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310153797.4 | 申請(qǐng)日： | 2009-11-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103258606A | 公開（公告）日： | 2013-08-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 柳興馥;樸章皓;金榮基;徐起元;崔允甲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01C1/14 | 分類號(hào)： | H01C1/14;H01C1/034 |
| 代理公司： | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人： | 余剛;李靜 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 陣列 片狀 電阻器 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種陣列式片狀電阻器，包括：
基板，具有以相等的間隔形成在兩側(cè)上的多個(gè)凹槽；
下部電極，形成在所述基板底表面的兩側(cè)上；
側(cè)部電極，從所述下部電極延伸并且一直延伸至所述基板一個(gè)側(cè)表面的一部分；
電阻元件，介于所述基板底表面的下部電極之間；
保護(hù)層，覆蓋在所述電阻元件上，所述保護(hù)層的兩側(cè)均覆蓋所述下部電極的一部分和所述電阻元件；
整平電極，與暴露于所述保護(hù)層外部的下部電極相接觸；
以及
鍍層，形成在所述整平電極上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列式片狀電阻器，其中，所述下部電極和所述側(cè)部電極形成在所述基板兩側(cè)上形成有所述多個(gè)凹槽的部分上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列式片狀電阻器，其中，所述側(cè)部電極形成為具有的高度大于所述基板的側(cè)表面的高度的50％且小于所述基板的側(cè)表面的高度的100％。
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