[發明專利]硅穿孔的制造方法無效
| 申請號： | 201310153051.3 | 申請日： | 2013-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN104124200A | 公開（公告）日： | 2014-10-29 |
| 發明（設計）人： | 黃昭元;何岳風;楊名聲;陳輝煌 | 申請（專利權）人： | 艾芬維顧問股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 中國臺灣新*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 穿孔 制造 方法 | ||
1.一種硅穿孔的制造方法，包含下列步驟:
提供一襯底;
在該襯底中形成一通孔，此通孔有至少為lμm的直徑及至少為5μm的深度;
利用第一蝕刻/沈積比來進行第一化學氣相沈積處理，以在該通孔的底部與側壁上以及該襯底的上表面上形成一介電層;
利用第二蝕刻/沈積比來進行一形狀修正處理，以改變該介電層的輪廓;及
重復該第一化學氣相沈積處理與該形狀修正處理至少一次，直到該介電層的厚度達到一預定值。
2.如權利要求1所述的硅穿孔的制造方法，其特征在于，該第一化學氣相沈積處理是高電漿密度化學氣相沈積處理。
3.如權利要求2所述的硅穿孔的制造方法。其特征在于，該形狀修正處理是高電漿密度化學氣相沈積處理。
4.如權利要求3所述的硅穿孔的制造方法，其特征在于，該第一化學氣相沈積處理與該形狀修正處理是原位(in-situly)進行。
5.如權利要求2所述的硅穿孔的制造方法，其特征在于，該形狀修正處理是濺鍍處理或蝕刻處埋。
6.如權利要求5所述的硅穿孔的制造方法，其特征在于，該第一化學氣相沈積處理與該形狀修正處理是異位(eX-situly)進行。
7.如權利要求5所述的硅穿孔的制造方法。其特征在于，該第一化學氣相沈積處理與該形狀修正處理是以不破真空的方式來進行。
8.如權利要求1所述的硅穿孔的制造方法，更包含:
在重復該第一化學氣相沈積處理與該形狀修正處理至少一次之后，藉由不使用偏壓的第一物理氣相沈積處理與使用偏壓的第二物理氣相沈積處理來在該介電層上形成一阻障層。
9.如權利要求1所述的硅穿孔的制造方法，更包含:
在重復該第一化學氣相沈積處理與該形狀修正處理至少一次之后，藉由不使用偏壓的第一物理氣相沈積處理與使用偏壓的第二物理氣相沈積處理來形成一品種層。
10.如權利要求1所述的硅穿孔的制造方法，更包含:
在重復該第一化學氣相沈積處理與該形狀修正處理至少一次之后，形成一低電阻率材料填充該通孔。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于艾芬維顧問股份有限公司，未經艾芬維顧問股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310153051.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
