[發(fā)明專利]一種頂發(fā)光OLED器件的薄膜封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310152877.8
• 申請(qǐng)日: 2013-04-27
• 公開（公告）號(hào): CN103258965A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高娟;高昕偉;唐凡;鄒成;陳珉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 四川虹視顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51227
• 代理人: 周永宏

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于顯示器領(lǐng)域，具體涉及一種頂發(fā)光OLED器件的薄膜封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。

背景技術(shù)

OLED具有主動(dòng)發(fā)光、電壓需求低、省電等特點(diǎn)，加上反應(yīng)快、重量輕、厚度薄、構(gòu)造簡(jiǎn)單、成本低廉等優(yōu)點(diǎn)，具備LCD不可比擬的優(yōu)勢(shì)，正逐漸進(jìn)入主流顯示市場(chǎng)。

目前的OLED器件，其白光一般是通過兩基色或三基色混合而得，一般都采用的是多重發(fā)光層（multiple?emissive?layers）、多摻雜發(fā)光層（multiple?dopants?emissive?layers）結(jié)構(gòu)，它們都存在因各發(fā)光層之間的接觸界面、接觸勢(shì)壘及各個(gè)發(fā)光層之間的發(fā)光衰減不同而造成器件效率與壽命的大幅度衰減等問題。

薄膜封裝有多種，目前使用較多的是離子化學(xué)氣相沉積（PECVD）和濺射鍍膜等物理沉積法，一方面它們的制備工藝溫度比較高，高出了OLED器件的承受范圍；另一方面等離子體和濺射粒子對(duì)有機(jī)材料或金屬電極有非常大的損傷，而目前的封裝技術(shù)暫時(shí)無法解決這個(gè)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述問題，提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、壽命較長(zhǎng)、光色更純且對(duì)電極及發(fā)光層具有保護(hù)作用的頂發(fā)射OLED器件的薄膜封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種頂發(fā)光OLED器件的薄膜封裝結(jié)構(gòu)，包括基板和依次疊加在基板上的反射陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、半透明陰極和薄膜封裝層，還包括封裝緩沖層，所述封裝緩沖層設(shè)置于半透明陰極與薄膜封裝層之間。

進(jìn)一步地，所述封裝緩沖層為發(fā)紅光、綠光、藍(lán)光或黃光的有機(jī)小分子類熒光發(fā)光材料。

進(jìn)一步地，所述發(fā)紅光的熒光發(fā)光材料為香豆素、芳香族化合物及其衍生物。

進(jìn)一步地，所述發(fā)紅光的熒光發(fā)光材料為DCJ、DCJT、DCJTB、ER-53，DCM、TDCM、TIN、MBIN、DCM2、DCJTI、(PPA)(PSA)Pe、ACEN1、ACEN2、ACEN3、ACEN4、D-CN、NPAFN、BSN、BZTA2，TPZ、NPAMLMe、DPP、PAAA、asym-TPP、DMPDPP和DBP。

進(jìn)一步地，所述發(fā)綠光的熒光發(fā)光材料為香豆素衍生物、喹吖啶酮及其衍生物、多環(huán)芳香族碳?xì)浠衔锛捌溲苌铩?H-pyrazolo[3,4-b]quinoxaline類的綠光熒光摻雜物。

進(jìn)一步地，所述發(fā)綠光的熒光發(fā)光材料為TPBA、QA、DMQA、DEQ、PAH、PAQ-Net。

進(jìn)一步地，所述發(fā)藍(lán)光的熒光發(fā)光材料為TBP、TPP、DSA、DSA-Ph、BD-1、BD-2、BD-3。

進(jìn)一步地，所述發(fā)黃光的熒光發(fā)光材料為DCJP、Rubrene、DPPO。

進(jìn)一步地，所述封裝緩沖層的厚度為1-10nm。

進(jìn)一步地，所述頂發(fā)光OLED器件的薄膜封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：

步驟1采用熱蒸鍍法將反射陽(yáng)極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、半透明陰極依次制備至基板上；

步驟2在鍍好的半透明陰極上采用熱蒸鍍法制備封裝緩沖層；

步驟3采用等離子化學(xué)氣相沉積法在封裝緩沖層上制備一層聚合物薄膜封裝層；

步驟4采用低功率濺射法在聚合物封裝層上制備一層無機(jī)化合物薄膜封裝層，一層聚合物薄膜封裝層與一層無機(jī)化合物薄膜封裝層一起構(gòu)成一層薄膜封裝層；

步驟5將步驟3-4重復(fù)1至10次，完成封裝。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：

首先，所述頂發(fā)光OLED器件的薄膜封裝結(jié)構(gòu)所設(shè)置的封裝緩沖層吸收來自頂發(fā)射OLED器件發(fā)光層的第一光譜的光并發(fā)射出第二光譜的光，對(duì)OLED器件的發(fā)光進(jìn)行微調(diào)，一方面保證器件具有高的色純度，保證器件整體的色度的質(zhì)量；另一方面，對(duì)于發(fā)白光OLED器件，基于這種微調(diào)作用，采用單層發(fā)光層與本發(fā)明所述封裝緩沖層配合即可達(dá)到傳統(tǒng)多重發(fā)光層、多摻雜發(fā)光層結(jié)構(gòu)的發(fā)光效果，避免了多發(fā)光層因不同發(fā)光材料的衰減不同而造成的器件在工作一段時(shí)間后的色坐標(biāo)偏移較大及發(fā)光效率、壽命較短等問題，而且簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝，降低生產(chǎn)成本；

其次，該封裝緩沖層減少了薄膜封裝時(shí)等離子體和濺射粒子對(duì)電極及發(fā)光層的損傷，提高良品率；

本發(fā)明所述頂發(fā)光OLED器件的薄膜封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，原理簡(jiǎn)單，操作方便，便于在業(yè)內(nèi)推廣使用。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例中的發(fā)光OLED器件的薄膜封裝結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式