[發明專利]一種頂發光OLED器件的薄膜封裝結構及其制備方法

有效

• 申請號: 201310152877.8
• 申請日: 2013-04-27
• 公開（公告）號: CN103258965A
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 高娟;高昕偉;唐凡;鄒成;陳珉
• 申請（專利權）人: 四川虹視顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 周永宏

1.一種頂發光OLED器件的薄膜封裝結構，包括基板和依次疊加在基板1上的反射陽極、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、半透明陰極及薄膜封裝層，其特征在于：還包括封裝緩沖層，所屬封裝緩沖層設置于半透明陰極與薄膜封裝層之間。

2.根據權利要求1所述的頂發光OLED器件的薄膜封裝結構，其特征在于：所述封裝緩沖層為發紅光、綠光、藍光或黃光的有機小分子類熒光發光材料。

3.根據權利要求2所述的頂發光OLED器件的薄膜封裝結構，其特征在于：所述發紅光的熒光發光材料為香豆素、芳香族化合物及其衍生物。

4.根據權利要求3所述的頂發光OLED器件的薄膜封裝結構，其特征在于：所述發紅光的熒光發光材料為DCJ、DCJT、DCJTB、ER-53，DCM、TDCM、TIN、MBIN、DCM2、Rubrene、DCJTI、(PPA)(PSA)Pe、ACEN1、ACEN2、ACEN3、ACEN4、D-CN、NPAFN、BSN、BZTA2、BZTA2，TPZ、NPAMLMe、DPP、PAAA、Asym-TPP和DMPDPP、DBP。

5.根據權利要求2所述的頂發光OLED器件的薄膜封裝結構，其特征在于：所述發綠光的熒光發光材料為香豆素衍生物、喹吖啶酮及其衍生物、多環芳香族碳氫化合物及其衍生物、1H-pyrazolo[3,4-b]quinoxaline類的綠光熒光摻雜物。

6.根據權利要求5所述的頂發光OLED器件的薄膜封裝結構，其特征在于：所述發綠光的熒光發光材料為TPBA、QA、DMQA、DEQ、PAH、PAQ-Net。

7.根據權利要求2所述的頂發光OLED器件的薄膜封裝結構，其特征在于：所述發藍光的熒光發光材料為TBP、TPP、DSA、DSA-Ph、BD-1、BD-2、BD-3。

8.根據權利要求2所述的頂發光OLED器件的薄膜封裝結構，其特征在于：所述發黃光的熒光發光材料為DCJP、Rrubrene、DPPO。

9.根據權利要求1所述的頂發光OLED器件的薄膜封裝結構，其特征在于：所述封裝緩沖層的厚度為1-10nm。

10.權利要求1-9任一項權利要求所述的頂發光OLED器件的薄膜封裝結構的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

步驟1采用熱蒸鍍法將反射陽極、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、半透明陰極依次制備至基板上；

步驟2在鍍好的半透明陰極上采用熱蒸鍍法制備封裝緩沖層；

步驟3采用等離子化學氣相沉積法在封裝緩沖層上制備一層聚合物薄膜封裝層；

步驟4采用低功率濺射法在聚合物封裝層上制備一層無機化合物薄膜封裝層，一層聚合物薄膜封裝層與一層無機化合物薄膜封裝層一起構成一層薄膜封裝層；

步驟5將步驟3-4重復1至10次，完成封裝。