[發明專利]半導體裝置及其制備方法

有效

• 申請號: 201310152690.8
• 申請日: 2013-04-27
• 公開（公告）號: CN103383955A
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發明（設計）人: 陳怡榮;蘇國輝;林江宏
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L29/45
• 分類號: H01L29/45;H01L21/28
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 趙根喜;呂俊清

1.一種半導體裝置，包含：

一基材，包含一摻雜區；

一絕緣層，形成于該基材，該絕緣層包含與該摻雜區對應的一接點孔；

一非摻雜硅層，形成于該摻雜區上；以及

一硅材料，從該非摻雜硅層填充該接點孔。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該非摻雜硅層是從該基材磊晶生長而成。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該非摻雜硅層具有30納米至50納米的厚度。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該硅材料包含摻磷的多晶硅。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該硅材料具有80納米至160納米的厚度。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包含一電容，其中該電容接觸該硅材料。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包含一數字線，其中該數字線接觸該硅材料。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該摻雜區位于一周邊電路區。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中該絕緣層包含二氧化硅或氮化硅。

10.一種半導體裝置的制備方法，包含下列步驟：

形成一絕緣層于一基材上，其中該基材包含一摻雜區；

形成一接點孔于該絕緣層，其中該接點孔對應該摻雜區；

進行選擇性磊晶生長工藝，以于該基材的該摻雜區上形成一硅層；以及

以一硅材料從該硅層填充該接點孔。

11.根據權利要求10所述的制備方法，其中填充該接點孔的步驟包含以該硅材料從該硅層填充該接點孔，并同時以摻雜物摻入沉積的硅材料層。

12.根據權利要求11所述的制備方法，其中該摻雜物包含磷。

13.根據權利要求10所述的制備方法，其中該硅層具有30納米至50納米的厚度。

14.根據權利要求10所述的制備方法，其中進行選擇性磊晶生長工藝的步驟是在溫度介于攝氏800至900度、壓力介于60至100毫米汞柱下進行。

15.根據權利要求14所述的制備方法，其中在進行選擇性磊晶生長工藝的步驟時以50至200每分鐘標準毫升導入二氯硅烷氣體及以50至200每分鐘標準毫升導入氯化氫氣。

16.根據權利要求10所述的制備方法，其中該硅材料沉積80納米至160納米的厚度。

17.一種半導體裝置，包含：

多對的字元線；

多對的數字線，形成于所述多個對的字元線下方；

多個硅柱，各該硅柱包含一摻雜區，且各該硅柱耦接一對應對的字元線和一對應對的數字線；

一絕緣層，形成于所述多個硅柱上，該絕緣層包含多個接點孔，其中所述多個接點孔對應所述多個摻雜區；

一非摻雜硅層，從所述多個摻雜區形成；以及

一硅材料，從該非摻雜硅層填充該接點孔。

18.根據權利要求17所述的半導體裝置，其中該非摻雜硅層是從一基材磊晶生長而成。

19.根據權利要求17所述的半導體裝置，其中該非摻雜硅層具有30納米至50納米的厚度。

20.根據權利要求17所述的半導體裝置，其中該硅材料包含摻磷的多晶硅。