[發(fā)明專利]蝕刻膏、蝕刻膏的應(yīng)用以及利用蝕刻膏蝕刻納米銀導(dǎo)電材料的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310152180.0
• 申請日: 2013-04-27
• 公開（公告）號: CN103215592A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 雷貝;潘克菲
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州諾菲納米科技有限公司
• 主分類號: C23F1/30
• 分類號: C23F1/30
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種蝕刻膏、該蝕刻膏的應(yīng)用以及利用該蝕刻膏蝕刻納米銀導(dǎo)電材料的方法，可應(yīng)用于電子行業(yè)，特別是在觸控面板用透明導(dǎo)電膜或玻璃、半導(dǎo)體照明、太陽能光電面板中的應(yīng)用。?

背景技術(shù)

目前已有的蝕刻膏，主要是應(yīng)用于銦錫氧化物（ITO）薄膜或ITO玻璃的蝕刻加工，尚未有針對納米銀導(dǎo)電材料(例如納米銀導(dǎo)電薄膜或納米銀導(dǎo)電玻璃)的直接蝕刻材料。?

另外，傳統(tǒng)的蝕刻工藝流程如下：?

印刷（耐酸油墨）→晾干→酸液（強酸）浸泡（浸泡腐蝕未被耐酸油墨覆蓋的銀）→過清水清洗→堿水（強堿）浸泡清洗（除去耐酸油墨）→初步水洗→純凈水清洗機清洗。

傳統(tǒng)的蝕刻工藝存在諸多缺點：首先，在生產(chǎn)過程中使用強酸和強堿，產(chǎn)生強烈的刺激性氣味，腐蝕性強，污染環(huán)境、危害操作人員的健康、腐蝕設(shè)備；其次，工藝過于復(fù)雜、生產(chǎn)周期長，產(chǎn)品質(zhì)量難以控制，每一個工序的要求都很苛刻(例如：對酸堿度的調(diào)控要求較嚴，難于準確控制)。再次，工藝流程不夠緊湊，耐酸油墨印刷后，可以無限期的延長放入強酸浸泡的時間。?

因此，有必要對直接用于蝕刻納米銀導(dǎo)電材料的蝕刻膏進行研發(fā)，同時對現(xiàn)有的蝕刻工藝進行改進，以克服以上技術(shù)問題。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種蝕刻膏、該蝕刻膏的應(yīng)用、以及利用該蝕刻膏蝕刻納米銀導(dǎo)電材料的方法，其中：所述蝕刻膏能夠直接用于蝕刻納米銀導(dǎo)電材料；利用該蝕刻膏蝕刻納米銀導(dǎo)電材料的方法能夠簡化生產(chǎn)步驟，提高效率，并減少污染。?

為解決實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：一種蝕刻膏，其包括：酸性蝕刻劑、無機金屬鹽、酸性介質(zhì)氧化劑、填料、水溶性聚合物、保濕稀釋劑、水。?

作為本發(fā)明進一步改進的技術(shù)方案：所述蝕刻膏的各組分的重量百分比如下：?

酸性蝕刻劑：0~30%；

無機金屬鹽：0~20%；

酸性介質(zhì)氧化劑：0~30%；

填料：0~20%；

水溶性聚合物：2~25%；

保濕稀釋劑：10~20%；

水：40~80%。

作為本發(fā)明進一步改進的技術(shù)方案：所述酸性蝕刻劑包括但不限于草酸、硝酸、甲酸、乙酸、磷酸、鹽酸、硫酸中的一種或多種；所述無機金屬鹽包括但不限于硝酸鐵、氯化鐵、硝酸鉀、硝酸鈉、氯化鈉、氯酸鈉中的一種或多種；所述酸性介質(zhì)氧化劑包括但不限于過氧化氫、過氧乙酸、重鉻酸鈉、鉻酸、硝酸、高錳酸鉀、過硫酸銨中一種的或多種；所述填料包括但不限于二氧化硅、滑石粉、膨潤土、炭黑、面粉、蔗糖中的一種或多種。?

作為本發(fā)明進一步改進的技術(shù)方案：所述水溶性聚合物包括但不限于改性纖維素、聚乙烯醇、聚乙二醇、松香改性樹脂、阿拉伯樹膠、聚丙烯酰胺、聚丙烯酸、淀粉、水性聚氨酯中的一種或多種。?

作為本發(fā)明進一步改進的技術(shù)方案：所述保濕稀釋劑包括但不限于乙醇、異丙醇、乙二醇、丙二醇、丁醇、丁二醇、甘油中的一種或多種。?

作為本發(fā)明進一步改進的技術(shù)方案：所述蝕刻膏還包括添加劑，所述添加劑為水性潤濕劑或者水性消泡劑，所述添加劑在蝕刻膏中的重量百分比為0.1~5%。?

作為本發(fā)明進一步改進的技術(shù)方案：所述蝕刻膏的各組分的質(zhì)量分數(shù)百分比如下：?

醋酸：10%；

硝酸鐵：10%；

炭黑：0.5%；

羥丙基甲基纖維素：3%；

聚乙二醇：10%；

甘油：10%；

異丙醇：10%；

水：46%；

消泡劑：0.5%。

作為本發(fā)明進一步改進的技術(shù)方案：所述蝕刻膏的各組分的質(zhì)量分數(shù)百分比如下：?

雙氧水：20%；

醋酸：5%；

二氧化硅：5%；

羧甲基纖維素：4%；

聚乙二醇：10%；

丙二醇：15%；

水：41%。

為解決實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還可以采用如下技術(shù)方案：一種前述蝕刻膏的應(yīng)用，該蝕刻膏直接用于蝕刻納米銀導(dǎo)電薄膜或納米銀導(dǎo)電玻璃。?

為解決實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還可以采用如下技術(shù)方案：一種利用蝕刻膏蝕刻納米銀導(dǎo)電材料的方法，其包括如下步驟：?

(a).?將前述蝕刻膏印制在納米銀導(dǎo)電材料上；

(b).?常溫下放置2~15分鐘；

(c).?將所述納米銀導(dǎo)電材料在60℃~130℃的溫度下烘烤10分鐘；

(d).?沖洗去除所述納米銀導(dǎo)電材料上殘余的蝕刻膏。