[發(fā)明專利]蝕刻膏、蝕刻膏的應(yīng)用以及利用蝕刻膏蝕刻納米銀導(dǎo)電材料的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310152180.0
• 申請日: 2013-04-27
• 公開（公告）號: CN103215592A
• 公開（公告）日: 2013-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 雷貝;潘克菲
• 申請（專利權(quán)）人: 蘇州諾菲納米科技有限公司
• 主分類號: C23F1/30
• 分類號: C23F1/30
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

1.一種蝕刻膏，其特征在于：所述蝕刻膏包括：酸性蝕刻劑、無機(jī)金屬鹽、酸性介質(zhì)氧化劑、填料、水溶性聚合物、保濕稀釋劑、水。

2.如權(quán)利要求1所述的蝕刻膏，其特征在于：所述蝕刻膏的各組分的重量百分比如下：

酸性蝕刻劑：0~30%；

無機(jī)金屬鹽：0~20%；

酸性介質(zhì)氧化劑：0~30%；

填料：0~20%；

水溶性聚合物：2~25%；

保濕稀釋劑：10~20%；

水：40~80%。

3.如權(quán)利要求1所述的蝕刻膏，其特征在于：所述酸性蝕刻劑包括草酸、硝酸、甲酸、乙酸、磷酸、鹽酸、硫酸中的一種或多種；所述無機(jī)金屬鹽包括硝酸鐵、氯化鐵、硝酸鉀、硝酸鈉、氯化鈉、氯酸鈉中的一種或多種；所述酸性介質(zhì)氧化劑包括過氧化氫、過氧乙酸、重鉻酸鈉、鉻酸、硝酸、高錳酸鉀、過硫酸銨中一種的或多種；所述填料包括二氧化硅、滑石粉、膨潤土、炭黑、面粉、蔗糖中的一種或多種。

4.如權(quán)利要求1所述的蝕刻膏，其特征在于：所述水溶性聚合物包括改性纖維素、聚乙烯醇、聚乙二醇、松香改性樹脂、阿拉伯樹膠、聚丙烯酰胺、聚丙烯酸、淀粉、水性聚氨酯中的一種或多種。

5.如權(quán)利要求1所述的蝕刻膏，其特征在于：所述保濕稀釋劑包括乙醇、異丙醇、乙二醇、丙二醇、丁醇、丁二醇、甘油中的一種或多種。

6.如權(quán)利要求2所述的蝕刻膏，其特征在于：所述蝕刻膏還包括添加劑，所述添加劑為水性潤濕劑或者水性消泡劑，所述添加劑在蝕刻膏中的重量百分比為0.1~5%。

7.如權(quán)利要求1所述的蝕刻膏，其特征在于：所述蝕刻膏的各組分的質(zhì)量分?jǐn)?shù)百分比如下：

醋酸：10%；

硝酸鐵：10%；

炭黑：0.5%；

羥丙基甲基纖維素：3%；

聚乙二醇：10%；

甘油：10%；

異丙醇：10%；

水：46%；

消泡劑：0.5%。

8.如權(quán)利要求1所述的蝕刻膏，其特征在于：所述蝕刻膏的各組分的質(zhì)量分?jǐn)?shù)百分比如下：

雙氧水：20%；

醋酸：5%；

二氧化硅：5%；

羧甲基纖維素：4%；

聚乙二醇：10%；

丙二醇：15%；

水：41%。

9.一種蝕刻膏的應(yīng)用，其特征在于：該蝕刻膏直接用于蝕刻納米銀導(dǎo)電薄膜或納米銀導(dǎo)電玻璃，所述蝕刻膏為權(quán)利要求1至8項中任意一項所述的蝕刻膏。

10.一種利用蝕刻膏蝕刻納米銀導(dǎo)電材料的方法，其特征在于：該方法包括如下步驟：

(a).?將權(quán)利要求1至8項中任意一項所述的蝕刻膏印制在納米銀導(dǎo)電材料上；

(b).?常溫下放置2~15分鐘；

(c).?將所述納米銀導(dǎo)電材料在60℃~130℃的溫度下烘烤10分鐘；

(d).?沖洗去除所述納米銀導(dǎo)電材料上殘余的蝕刻膏。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于：所述納米銀導(dǎo)電材料為納米銀導(dǎo)電薄膜或者納米銀導(dǎo)電玻璃；步驟(d)包括利用自來水或純凈水浸泡所述納米銀導(dǎo)電材料，然后沖洗去除殘余的蝕刻膏，然后使用純凈水清洗，然后將所述納米銀導(dǎo)電材料風(fēng)干或烘干。