[發明專利]基于LaB6納米材料場發射的X射線管及移動CT掃描儀有效
| 申請號： | 201310151759.5 | 申請日： | 2013-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN103337441A | 公開（公告）日： | 2013-10-02 |
| 發明（設計）人： | 徐如祥;林祖倫;代秋聲;高楓;張濤 | 申請（專利權）人： | 中國人民解放軍北京軍區總醫院 |
| 主分類號： | H01J35/06 | 分類號： | H01J35/06 |
| 代理公司： | 北京市惠誠律師事務所 11353 | 代理人： | 雷志剛;潘士霖 |
| 地址： | 100700*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 lab6 納米 材料 發射 射線 移動 ct 掃描儀 | ||
1.一種基于LaB6納米材料場發射的X射線管，其特征在于，包括：陽極和陰極；所述陰極包括LaB6尖錐場發射陣列，且所述陰極在外加電場的作用下場致發射產生的電子轟擊所述陽極以產生X射線。
2.根據權利要求1所述的基于LaB6納米材料場發射的X射線管，其特征在于，所述LaB6尖錐場發射陣列包括：二極管LaB6尖錐場發射陣列，或者，三極管LaB6尖錐場發射陣列。
3.根據權利要求2所述的基于LaB6納米材料場發射的X射線管，其特征在于，
所述二極管LaB6尖錐場發射陣列包括：硅尖錐二極管陣列和覆蓋在硅尖錐表面上的LaB6納米材料薄膜層；或者，
所述三極管LaB6尖錐場發射陣列包括：硅基、形成在所述硅基上的孔腔陣列、分布在各孔腔中的鉬尖錐陣列、以及覆蓋在各鉬尖錐表面上的LaB6納米材料薄膜層。
4.根據權利要求1所述的基于LaB6納米材料場發射的X射線管，其特征在于，所述陽極和所述陰極之間還設有柵極，在所述陰極和所述柵極之間外加第一電場以使所述陰極場致發射產生電子，在所述柵極和所述陽極之間外加第二電場以加速穿過所述柵極的電子使之轟擊所述陽極以產生X射線。
5.根據權利要求1所述的基于LaB6納米材料場發射的X射線管，其特征在于，所述陽極為固定式陽極或者旋轉式陽極。
6.根據權利要求5所述的基于LaB6納米材料場發射的X射線管，其特征在于，所述固定式陽極包括：固定的銅陽極體以及固定于所述銅陽極體上的鎢合金靶面。
7.根據權利要求6所述的基于LaB6納米材料場發射的X射線管，其特征在于，所述鎢合金靶面相對參考方向形成有預定的靶面傾角，所述參考方向與電子入射方向垂直。
8.根據權利要求7所述的基于LaB6納米材料場發射的X射線管，其特征在于，所述鎢合金靶面的厚度為400-500um，和/或，所述靶面傾角為11度。
9.根據權利要求1所述的基于LaB6納米材料場發射的X射線管，其特征在于，所述X射線管總長度小于或等于120mm，和/或，所述X射線管的最大直徑小于或等于60mm，和/或，所述陽極和所述陰極中尖錐頂部的距離小于或等于10um。
10.一種移動CT掃描儀，其特征在于，包括如權利要求1-9任一所述的基于LaB6納米材料場發射的X射線管。
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