[發明專利]具有類似RAM和ROM單元的半導體存儲器有效
| 申請號： | 201310150378.5 | 申請日： | 2013-04-26 |
| 公開（公告）號： | CN103377699A | 公開（公告）日： | 2013-10-30 |
| 發明（設計）人： | 丹·克里斯蒂安·勞恩·延森 | 申請（專利權）人： | GN瑞聲達A/S |
| 主分類號： | G11C14/00 | 分類號： | G11C14/00 |
| 代理公司： | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人： | 謝晨;劉光明 |
| 地址： | 丹麥巴*** | 國省代碼： | 丹麥;DK |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 類似 ram rom 單元 半導體 存儲器 | ||
1.一種半導體存儲器，包括：
易失性存儲器單元的陣列，其中所述易失性存儲器單元中的一個具有連接在第一存儲器單元電路中的晶體管；以及
至少一個非易失性存儲器單元，具有連接在第二存儲器單元電路中的晶體管，其中所述第一存儲器單元電路中的晶體管比所述第二存儲器單元電路中的晶體管至少多一個。
2.根據權利要求1所述的半導體存儲器，其中所述第一存儲器單元電路是靜態第一存儲器單元電路。
3.根據權利要求1所述的半導體存儲器，所述第一存儲器單元電路中的晶體管被連接為兩個交叉耦合的反相器。
4.根據權利要求3所述的半導體存儲器，其中所述兩個交叉耦合的反相器包括場效應晶體管。
5.根據權利要求3所述的半導體存儲器，其中所述兩個交叉耦合的反相器包括雙極晶體管。
6.根據權利要求1所述的半導體存儲器，其中所述易失性存儲器單元包括CMOS易失性存儲器單元。
7.根據權利要求1所述的半導體存儲器，其中所述至少一個非易失性存儲器單元包括至少一個CMOS非易失性存儲器單元。
8.根據權利要求1所述的半導體存儲器，其中所述半導體存儲器是多端口存儲器。
9.根據權利要求1所述的半導體存儲器，其中所述至少一個非易失性存儲器單元包括掩模可編程非易失性存儲器單元。
10.根據權利要求9所述的半導體存儲器，其中通過提供擴散掩模來獲得所述第二存儲器單元電路。
11.根據權利要求1所述的半導體存儲器，其中所述第一存儲器單元電路和所述第二存儲器單元電路具有基本上相同的配置。
12.一種助聽器，包括根據權利要求1所述的半導體存儲器以及數字信號處理器。
13.根據權利要求12所述的助聽器，其中所述至少一個非易失性存儲器單元包括引導裝入程序。
14.根據權利要求12所述的助聽器，其中所述至少一個非易失性存儲器單元包含用于聽力損失補償的程序。
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