[發明專利]銻鋱共摻雜氮化硅發光材料、制備方法及其應用

無效

• 申請號: 201310150158.2
• 申請日: 2013-04-26
• 公開（公告）號: CN104119906A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 周明杰;陳吉星;王平;張振華
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/79
• 分類號: C09K11/79;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

【技術領域】

本發明涉及一種銻鋱共摻雜氮化硅發光材料、其制備方法、銻鋱共摻雜氮化硅發光薄膜、其制備方法、薄膜電致發光器件及其制備方法。

【背景技術】

薄膜電致發光顯示器(TFELD)由于其主動發光、全固體化、耐沖擊、反應快、視角大、適用溫度寬、工序簡單等優點，已引起了廣泛的關注，且發展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，開發多波段發光的材料，是該課題的發展方向。但是，可應用于薄膜電致發光顯示器的銻鋱共摻雜氮化硅發光材料，仍未見報道。

【發明內容】

基于此，有必要提供一種可應用于薄膜電致發光器件的銻鋱共摻雜氮化硅發光材料、其制備方法、銻鋱共摻雜氮化硅發光薄膜、其制備方法、使用該銻鋱共摻雜氮化硅發光材料的薄膜電致發光器件及其制備方法。

一種銻鋱共摻雜氮化硅發光材料，其化學式為Me₂Si₆N₁₀∶xSb³⁺,yTb³⁺，其中，x為0.01～0.08，y為0.01～0.05，Me為釔離子，鑭離子，釓離子或镥離子。

一種銻鋱共摻雜氮化硅發光材料的制備方法，包括以下步驟：

根據Me₂Si₆N₁₀∶xSb³⁺,yTb³⁺各元素的化學計量比稱取MeN，Si₃N₄，Sb和TbN粉體并混合均勻，其中，x為0.01～0.08，y為0.01～0.05；及

將混合均勻的粉體在900℃～1300℃下燒結0.5小時～5小時即得到化學式為Me₂Si₆N₁₀∶xSb³⁺,yTb³⁺的銻鋱共摻雜氮化硅發光材料，Me為釔離子，鑭離子，釓離子或镥離子。

一種銻鋱共摻雜氮化硅發光薄膜，該銻鋱共摻雜氮化硅發光薄膜的材料的化學通式為Me₂Si₆N₁₀∶xSb³⁺,yTb³⁺，其中，x為0.01～0.08，y為0.01～0.05，Me為釔離子，鑭離子，釓離子或镥離子。

一種銻鋱共摻雜氮化硅發光薄膜的制備方法，包括以下步驟：

根據Me₂Si₆N₁₀∶xSb³⁺,yTb³⁺各元素的化學計量比稱取MeN，Si₃N₄，Sb和TbN粉體并混合均勻在900℃～1300℃下燒結0.5小時～5小時制成靶材，其中，x為0.01～0.08，y為0.01～0.05；

將所述靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

調整磁控濺射鍍膜工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，磁控濺射工作壓強0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～40sccm，襯底溫度為250℃～750℃，激光能量為80W～300W，接著進行制膜，得到化學式為Me₂Si₆N₁₀∶xSb³⁺,yTb³⁺的銻鋱共摻雜氮化硅發光薄膜，Me為釔離子，鑭離子，釓離子或镥離子。

在優選的實施例中，所述真空腔體的真空度為5.0×10^-4Pa，基靶間距為60mm，磁控濺射工作壓強為2.0Pa，工作氣體為氬氣，工作氣體的流量為20sccm，襯底溫度為500℃，激光能量為150W。

一種薄膜電致發光器件，該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，所述發光層的材料為銻鋱共摻雜氮化硅發光材料，該銻鋱共摻雜氮化硅發光材料的化學式為Me₂Si₆N₁₀∶xSb³⁺,yTb³⁺，其中，x為0.01～0.08，y為0.01～0.05，Me為釔離子，鑭離子，釓離子或镥離子。

一種薄膜電致發光器件的制備方法，包括以下步驟：

提供具有陽極的襯底；