[發明專利]銻鋱共摻雜氮化硅發光材料、制備方法及其應用

無效

• 申請號: 201310150158.2
• 申請日: 2013-04-26
• 公開（公告）號: CN104119906A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 周明杰;陳吉星;王平;張振華
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/79
• 分類號: C09K11/79;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種銻鋱共摻雜氮化硅發光材料，其特征在于：其化學式為Me₂Si₆N₁₀∶xSb³⁺,yTb³⁺，其中，x為0.01～0.08，y為0.01～0.05，Me為釔離子，鑭離子，釓離子或镥離子。

2.一種銻鋱共摻雜氮化硅發光材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

根據Me₂Si₆N₁₀∶xSb³⁺,yTb³⁺各元素的化學計量比稱取MeN，Si₃N₄，Sb和TbN粉體并混合均勻，其中，x為0.01～0.08，y為0.01～0.05；及

將混合均勻的粉體在900℃～1300℃下燒結0.5小時～5小時即得到化學式為Me₂Si₆N₁₀∶xSb³⁺,yTb³⁺的銻鋱共摻雜氮化硅發光材料，Me為釔離子，鑭離子，釓離子或镥離子。

3.一種銻鋱共摻雜氮化硅發光薄膜，其特征在于，該銻鋱共摻雜氮化硅發光薄膜的材料的化學通式為Me₂Si₆N₁₀∶xSb³⁺,yTb³⁺，其中，x為0.01～0.08，y為0.01～0.05，Me為釔離子，鑭離子，釓離子或镥離子。

4.一種銻鋱共摻雜氮化硅發光薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

根據Me₂Si₆N₁₀∶xSb³⁺,yTb³⁺各元素的化學計量比稱取MeN，Si₃N₄，Sb和TbN粉體并混合均勻在900℃～1300℃下燒結0.5小時～5小時制成靶材，其中，x為0.01～0.08，y為0.01～0.05；

將所述靶材以及襯底裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體，并將真空腔體的真空度設置為1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；及

調整磁控濺射鍍膜工藝參數為：基靶間距為45mm～95mm，磁控濺射工作壓強0.2Pa～4Pa，工作氣體的流量為10sccm～40sccm，襯底溫度為250℃～750℃，激光能量為80W～300W，接著進行制膜，得到化學式為Me₂Si₆N₁₀∶xSb³⁺,yTb³⁺的銻鋱共摻雜氮化硅發光薄膜，Me為釔離子，鑭離子，釓離子或镥離子。

5.根據權利要求4所述的銻鋱共摻雜氮化硅發光薄膜的制備方法，其特征在于，所述真空腔體的真空度為5.0×10^-4Pa，基靶間距為60mm，磁控濺射工作壓強為2.0Pa，工作氣體為氧氣，工作氣體的流量為20sccm，襯底溫度為500℃，激光能量為150W。

6.一種薄膜電致發光器件，該薄膜電致發光器件包括依次層疊的襯底、陽極層、發光層以及陰極層，其特征在于，所述發光層的材料為銻鋱共摻雜氮化硅發光材料，該銻鋱共摻雜氮化硅發光材料的化學式為Me₂Si₆N₁₀∶xSb³⁺,yTb³⁺，其中，x為0.01～0.08，y為0.01～0.05，Me為釔離子，鑭離子，釓離子或镥離子。

7.一種薄膜電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供具有陽極的襯底；

在所述陽極上形成發光層，所述發光層的材料為銻鋱共摻雜氮化硅發光材料，該銻鋱共摻雜氮化硅發光材料的化學式為Me₂Si₆N₁₀∶xSb³⁺,yTb³⁺，其中，x為0.01～0.08，y為0.01～0.05，Me為釔離子，鑭離子，釓離子或镥離子；

在所述發光層上形成陰極。