[發明專利]照明裝置

在審

• 申請號: 201310149990.0
• 申請日: 2013-04-26
• 公開（公告）號: CN104121497A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 曹雯
• 申請（專利權）人: 光明半導體（天津）有限公司
• 主分類號: F21S2/00
• 分類號: F21S2/00;F21V19/00;F21V7/10;H01L33/60;H01L33/02;H01L25/075;F21Y101/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;劉燦強

1.一種照明裝置，其特征在于，包括：

多個第一發光模塊和第二發光模塊；

反射部件，用于收容所述多個第一發光模塊且上下面被開口；

主體部，具有用于安置所述多個第一發光模塊和第二發光模塊的安置面；

其中，所述反射部件包括沿外側面收容所述多個第二發光模塊的多個收容槽，所述多個第一發光模塊和第二發光模塊包括：

第一發光二極管芯片，具有紅色波長；

第二發光二極管芯片，具有與所述第一發光二極管芯片不同的紅色波長；

多個第三發光二極管芯片，位于所述第一發光二極管芯片及第二發光二極管芯片周圍；

而且，具有類似于太陽光的波長帶。

2.如權利要求1所述的照明裝置，其特征在于，所述多個收容槽包括由一對三角面所構成的傾斜的反射面。

3.如權利要求1所述的照明裝置，其特征在于，包括：

上端圓筒部，以所述安置面的中心軸為基準，圓形橫截面的直徑逐漸增大；

下端圓筒部，以所述安置面的中心軸為基準，圓形橫截面的直徑逐漸減小。

4.如權利要求1所述的照明裝置，其特征在于，所述上端圓筒部從所述安置面延伸，而所述下端圓筒部從所述上端圓筒部延伸。

5.如權利要求1所述的照明裝置，其特征在于，還包括罩部，用于覆蓋所述多個第一發光模塊和第二發光模塊，并與所述主體部結合。

6.如權利要求5所述的照明裝置，其特征在于，所述罩部在與所述第二發光模塊對應的側面上還包括波長變換層。

7.如權利要求5所述的照明裝置，其特征在于，所述罩部包括從側面朝內側方向延伸的突起。

8.如權利要求7所述的照明裝置，其特征在于，所述主體部包括用于插入所述突起的扣槽。

9.如權利要求1所述的照明裝置，其特征在于，還包括接觸于所述主體部的安置面上的電路基板，而且在所述電路基板的外側還具有透明基板。

10.如權利要求1所述的照明裝置，其特征在于，還包括：

接觸于所述主體部的安置面的電路基板；

從所述電路基板的下部面邊緣向外側方向形成的透明基板。

11.如權利要求1所述的照明裝置，其特征在于，所述多個第三發光二極管芯片具有構成為多個阱層與多個勢壘層交替層疊的量子阱結構的活性層，且所述多個阱層具有兩種以上的不同厚度。

12.如權利要求1所述的照明裝置，其特征在于，所述第三發光二極管芯片包括：

N型半導體層，位于所述活性層的一面上；

P型半導體層，位于所述活性層的另一面上；

其中，所述多個阱層包括與所述N型半導體層相鄰的一個以上的第一阱層以及與所述P型半導體層相鄰的一個以上的第二阱層，且所述第二阱層的厚度比所述第一阱層的厚度更厚。

13.如權利要求12所述的照明裝置，其特征在于，所述多個第二阱層具有互不相同的厚度。

14.如權利要求12所述的照明裝置，其特征在于，所述多個第一阱層具有均勻的厚度。

15.如權利要求12所述的照明裝置，其特征在于，所述第一阱層具有410nm的波長。

16.如權利要求12所述的照明裝置，其特征在于，所述第二阱層具有450nm的波長。

17.如權利要求1所述的照明裝置，其特征在于，所述阱層具有In_xGa_1-xN(0≤x≤1)的最簡式，而所述勢壘層具有In_yGa_1-yN(0≤y≤1)的最簡式。

18.如權利要求1所述的照明裝置，其特征在于，所述第一發光二極管芯片具有600nm～630nm的波長。

19.如權利要求1所述的照明裝置，其特征在于，所述第二發光二極管芯片具有630nm～660nm的波長。

20.如權利要求1所述的照明裝置，其特征在于，還包括用于貼裝所述第一發光二極管至第三發光二極管的基板，并在所述基板上包括對稱的第一導電圖案與第二導電圖案。