[發(fā)明專利]照明裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310149990.0
• 申請日: 2013-04-26
• 公開（公告）號: CN104121497A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曹雯
• 申請（專利權(quán)）人: 光明半導(dǎo)體（天津）有限公司
• 主分類號: F21S2/00
• 分類號: F21S2/00;F21V19/00;F21V7/10;H01L33/60;H01L33/02;H01L25/075;F21Y101/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 韓明星;劉燦強

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種照明裝置，尤其涉及一種具有寬背光特性以及改善的顯色性的照明裝置。

背景技術(shù)

普通的發(fā)光元件（Light?Emtting?Device）是通過電子與空穴在N型半導(dǎo)體層與P型半導(dǎo)體層之間重新結(jié)合而實現(xiàn)發(fā)光。

所述發(fā)光元件在顯示裝置及照明裝置中得到多種多樣的應(yīng)用。

另外，最近在引入高亮度發(fā)光元件。普通的發(fā)光元件是在藍色發(fā)光芯片上形成黃色熒光體而發(fā)出白色光。

然而，由于從普通發(fā)光元件產(chǎn)生的光局限于特定波長帶，因而導(dǎo)致顯色性下降的問題。

雖然為了改善所述顯色性而額外使用紅色發(fā)光二極管，但由于顯色性隨所述紅色發(fā)光二極管的排列而變化多端，因而存在難以實現(xiàn)依照客戶需求的顯色性優(yōu)異的發(fā)光元件的問題。

而且，這種發(fā)光元件不僅使用于顯示裝置，而且還使用于多種多樣的照明裝置中。然而由于發(fā)光元件均為朝一個方向照射光的元件，故利用發(fā)光元件的照明裝置存在難以滿足一般照明裝置所需背光特性的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的問題為提供一種具有寬背光特性的照明裝置。

并且，本發(fā)明所要解決的問題為提供一種顯色性得到改善而能夠發(fā)出與太陽光類似的光的發(fā)光模塊。

根據(jù)本發(fā)明各實施例的一種照明裝置，包括：多個第一發(fā)光模塊和第二發(fā)光模塊；反射部件，用于收容所述多個第一發(fā)光模塊且上下面被開口；主體部，具有用于安置所述多個第一發(fā)光模塊和第二發(fā)光模塊的安置面；其中，所述反射部件包括沿外側(cè)面收容所述多個第二發(fā)光模塊的多個收容槽，所述多個第一發(fā)光模塊和第二發(fā)光模塊包括：第一發(fā)光二極管芯片，具有紅色波長；第二發(fā)光二極管芯片，具有與所述第一發(fā)光二極管芯片不同的紅色波長；多個第三發(fā)光二極管芯片，位于所述第一發(fā)光二極管芯片及第二發(fā)光二極管芯片周圍；并具有類似于太陽光的波長帶，因而具有能夠?qū)崿F(xiàn)寬背光特性的同時可以改善顯色性的優(yōu)點。

所述多個收容槽包括由成對的三角面所構(gòu)成的傾斜的反射面。

包括：上端圓筒部，以所述安置面的直徑為基準，圓形橫截面的直徑逐漸增大；下端圓筒部，以所述安置面的直徑為基準，圓形橫截面的直徑逐漸減小。

所述上端圓筒部從所述安置面延伸，而所述下端圓筒部從所述上端圓筒部延伸。

還包括罩部，用于覆蓋所述多個第一發(fā)光模塊和第二發(fā)光模塊，并與所述主體部結(jié)合。

所述罩部在與所述第二發(fā)光模塊對應(yīng)的側(cè)面上還包括波長變換層。

所述罩部包括從側(cè)面朝內(nèi)側(cè)方向延伸的突起。

所述主體部包括用于插入所述突起的卡接槽。

還包括接觸于所述主體部的安置面上的電路基板，而且在所述電路基板的外側(cè)還具有透明基板。

還包括：接觸于所述主體部的安置面的電路基板；從所述電路基板的下部面邊緣處向外側(cè)方向形成的透明基板。

所述第三發(fā)光二極管芯片具有構(gòu)成為多個阱層與多個勢壘層交替層疊的量子阱結(jié)構(gòu)的活性層，且所述多個阱層具有兩個以上的不同厚度。

所述第三發(fā)光二極管芯片包括：N型半導(dǎo)體層，位于所述活性層的一面上；P型半導(dǎo)體層，位于所述活性層的另一面上；其中，所述多個阱層包括與所述N型半導(dǎo)體層相鄰的一個以上的第一阱層以及與所述P型半導(dǎo)體層相鄰的一個以上的第二阱層，且所述第二阱層的厚度比所述第一阱層的厚度更厚。

所述多個第二阱層具有互不相同的厚度，而所述多個第一阱層具有均勻的厚度。

所述第一阱層具有410nm的波長，而所述第二阱層具有450nm的波長。

所述阱層具有In_XGa_1-XN(0≤x≤1)的最簡式，而所述勢壘層具有In_yGa_1-yN(0≤y≤1)的最簡式。

所述第一發(fā)光二極管芯片具有600～630nm的波長，而所述第二發(fā)光二極管芯片具有630～660nm的波長。

還包括用于貼裝所述第一發(fā)光二極管至第三發(fā)光二極管的基板，并在所述基板上包括相互對稱的第一導(dǎo)電圖案與第二導(dǎo)電圖案。

所述第一發(fā)光二極管芯片和第二發(fā)光二極管芯片是以所述基板的中心部為基準而向兩側(cè)分隔設(shè)置，所述第一發(fā)光二極管芯片與所述第一導(dǎo)電圖案連接而所述第二發(fā)光二極管芯片與所述第二導(dǎo)電圖案連接。

所述多個第三發(fā)光二極管芯片與所述基板的邊角區(qū)域相鄰而設(shè)置，并從所述第一導(dǎo)電圖案和第二導(dǎo)電圖案分離而布置，以在垂直、水平、以及對角線方向上對稱。