[發明專利]LED倒裝芯片

無效

• 申請號: 201310149879.1
• 申請日: 2013-04-26
• 公開（公告）號: CN103227261A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 王維昀;周愛新;毛明華;李永德;馬滌非;吳煊梁
• 申請（專利權）人: 東莞市福地電子材料有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/20
• 代理公司: 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215
• 代理人: 雷利平

技術領域

本發明創造涉及LED倒裝芯片。

背景技術

LED倒裝芯片上，P焊接電極和N焊接電極分別覆蓋芯片底面的不同區域，芯片的P歐姆接觸層、P半導體層和有源發光層位于P焊接電極與芯片的N半導體層之間。N歐姆接觸層位于N焊接電極覆蓋區域，芯片在N焊接電極和N半導體層之間開有沉坑讓N歐姆接觸層與N半導體層觸通。按常理，P焊接電極覆蓋區域不能設置N歐姆接觸層和沉坑，故N歐姆接觸層電流集中到P焊接電極覆蓋區域之外，導致芯片上N歐姆接觸層的電流分布不均勻。

發明內容

本發明創造要解決的技術問題是如何讓LED倒裝芯片上N歐姆接觸層的電流分布均勻。

為此給出LED倒裝芯片，其P焊接電極和N焊接電極分別覆蓋芯片底面的不同區域，芯片的P歐姆接觸層、P半導體層和有源發光層位于P焊接電極與芯片的N半導體層之間，有第一N歐姆接觸層位于N焊接電極覆蓋區域，芯片在N焊接電極和N半導體層之間開有第一沉坑讓第一N歐姆接觸層與N半導體層觸通，其特征是，有第二N歐姆接觸層位于P焊接電極覆蓋區域但局部延伸至P焊接電極覆蓋區域之外并且與P焊接電極相互絕緣，芯片在P焊接電極和N半導體層之間開有第二沉坑讓第二N歐姆接觸層與N半導體層觸通。

有益效果：第二N歐姆接觸層雖然位于P焊接電極覆蓋區域，但與P焊接電極相互絕緣以避免短路，且局部延伸至P焊接電極覆蓋區域之外以供焊接，憑借此結構，LED倒裝芯片不僅在N焊接電極覆蓋區域分布有N歐姆接觸層，而且在P焊接電極覆蓋區域也能夠分布N歐姆接觸層，故在芯片上N歐姆接觸層的電流分布均勻。

其中，有位于P焊接電極覆蓋區域之外的P外N歐姆接觸層在芯片底面連通第二N歐姆接觸層，芯片上開有P外沉坑讓P外N歐姆接觸層與N半導體層觸通。

其中，所述的P外N歐姆接觸層包括所述的第一N歐姆接觸層。

其中，第二沉坑中設有絕緣層在側面圍住第二N歐姆接觸層。

其中，P外沉坑中設有絕緣層在側面圍住P外N歐姆接觸層。

其中，第二沉坑中設有絕緣層在側面圍住第二N歐姆接觸層。

其中，其中的全部或部分絕緣層延伸至第二N歐姆接觸層與P焊接電極之間，從而兼實現第二N歐姆接觸層與P焊接電極之間的相互絕緣。

其中，芯片的P歐姆接觸層與N歐姆接觸層相鄰，全部或部分絕緣層延伸至所對應的N歐姆接觸層與相鄰的P歐姆接觸層之間，從而兼實現所對應的N歐姆接觸層與相鄰的P歐姆接觸層之間的相互絕緣。

其中，第二N歐姆接觸層有多個，多個第二N歐姆接觸層在芯片底面互相連通。

附圖說明

圖1是LED倒裝芯片的底面在焊接電極覆蓋之前的示意圖。

圖2是在圖1的基礎上讓焊接電極覆蓋之后的示意圖。

圖3是LED倒裝芯片局部的層狀結構圖。

圖中的附圖標記有：?P焊接電極9，N焊接電極8，固晶基板89，固晶焊盤90；?P歐姆接觸層5，P金屬電極層50，P半導體層52，?N半導體層6，N歐姆接觸層1，?第一N歐姆接觸層11，第一沉坑12，?第二N歐姆接觸層21，第二沉坑22，第二沉坑中的絕緣層23，?無覆蓋N歐姆接觸層41，?P外N歐姆接觸層31，P外沉坑32；?有源發光層7，襯底70。

具體實施方式

LED倒裝芯片在焊接電極覆蓋之前如圖1，讓焊接電極8、9覆蓋之后如圖2，P焊接電極9和N焊接電極8分別覆蓋芯片底面的不同區域。N歐姆接觸層1包括位于N焊接電極8覆蓋區域的第一N歐姆接觸層11、位于P焊接電極9覆蓋區域的第二N歐姆接觸層21和位于未覆蓋區域的無覆蓋N歐姆接觸層41。第一N歐姆接觸層11和無覆蓋N歐姆接觸層41均位于P焊接電極9覆蓋區域之外，合稱為P外N歐姆接觸層31。第二N歐姆接觸層21有三個，其中兩個第二N歐姆接觸層21在芯片底面互相連通。P外N歐姆接觸層31在芯片底面連通第二N歐姆接觸層21，讓第二N歐姆接觸層21局部延伸至P焊接電極9覆蓋區域之外以供焊接，尤其地，因為P外N歐姆接觸層31包括位于N焊接電極8覆蓋區域的第一N歐姆接觸層11，所以只需一次焊接就讓第二N歐姆接觸層21和P外N歐姆接觸層31一并接通了。