[發明專利]LED倒裝芯片

無效

• 申請號: 201310149879.1
• 申請日: 2013-04-26
• 公開（公告）號: CN103227261A
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 王維昀;周愛新;毛明華;李永德;馬滌非;吳煊梁
• 申請（專利權）人: 東莞市福地電子材料有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/20
• 代理公司: 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215
• 代理人: 雷利平

1.LED倒裝芯片，其P焊接電極和N焊接電極分別覆蓋芯片底面的不同區域，芯片的P歐姆接觸層、P半導體層和有源發光層位于P焊接電極與芯片的N半導體層之間，有第一N歐姆接觸層位于N焊接電極覆蓋區域，芯片在N焊接電極和N半導體層之間開有第一沉坑讓第一N歐姆接觸層與N半導體層觸通，其特征是，有第二N歐姆接觸層位于P焊接電極覆蓋區域但局部延伸至P焊接電極覆蓋區域之外并且與P焊接電極相互絕緣，芯片在P焊接電極和N半導體層之間開有第二沉坑讓第二N歐姆接觸層與N半導體層觸通。

2.根據權利要求1所述的LED倒裝芯片，其特征是，有位于P焊接電極覆蓋區域之外的P外N歐姆接觸層在芯片底面連通第二N歐姆接觸層，芯片上開有P外沉坑讓P外N歐姆接觸層與N半導體層觸通。

3.根據權利要求2所述的LED倒裝芯片，其特征是，所述的P外N歐姆接觸層包括所述的第一N歐姆接觸層。

4.根據權利要求1所述的LED倒裝芯片，其特征是，第二沉坑中設有絕緣層在側面圍住第二N歐姆接觸層。

5.根據權利要求2所述的LED倒裝芯片，其特征是，P外沉坑中設有絕緣層在側面圍住P外N歐姆接觸層。

6.根據權利要求5所述的LED倒裝芯片，其特征是，第二沉坑中設有絕緣層在側面圍住第二N歐姆接觸層。

7.根據權利要求4、5或6所述的LED倒裝芯片，其特征是，其中的全部或部分絕緣層延伸至第二N歐姆接觸層與P焊接電極之間，從而兼實現第二N歐姆接觸層與P焊接電極之間的相互絕緣。

8.根據權利要求4、5或6所述的LED倒裝芯片，其特征是，芯片的P歐姆接觸層與N歐姆接觸層相鄰，全部或部分絕緣層延伸至所對應的N歐姆接觸層與相鄰的P歐姆接觸層之間，從而兼實現所對應的N歐姆接觸層與相鄰的P歐姆接觸層之間的相互絕緣。

9.根據權利要求1所述的LED倒裝芯片，其特征是，第二N歐姆接觸層有多個，多個第二N歐姆接觸層在芯片底面互相連通。