[發明專利]電路板、其制作方法以及顯示裝置有效
| 申請號: | 201310148643.6 | 申請日: | 2013-04-25 |
| 公開(公告)號: | CN103280447A | 公開(公告)日: | 2013-09-04 |
| 發明(設計)人: | 孫冰 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/43;H01L29/41;H01L21/28 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電路板 制作方法 以及 顯示裝置 | ||
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別是涉及一種電路板、其制作方法以及顯示裝置。
背景技術
近年來,隨著科技的發展,液晶顯示器技術也隨之不斷完善。TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display,薄膜晶體管-液晶顯示器)以其圖像顯示品質好、能耗低、環保等優勢占據著顯示器領域的重要位置。
其中,開口率的大小一直為TFT-LCD產品性能的重要檢測指標。為了實現大開口率,一般采用低電阻的疊層結構薄膜作為金屬電極。多疊層結構必然造成結構的厚度隨之增大,但厚度越大,使得金屬線失效的幾率越高,這樣反而限制了金屬的電阻降低,而且高厚度的薄膜在刻蝕后產生的段差使得后續的電極斷線現象大幅度增加,嚴重影響到TFT產品性能,降低了TFT產品的良率。
發明內容
(一)要解決的技術問題
本發明要解決的技術問題是提供一種電路板、其制作方法以及顯示裝置,以克服現有的陣列基板中隨著金屬薄膜層的加厚而導致良率降低等缺陷。
(二)技術方案
為解決上述技術問題,本發明一方面提供一種電路板,包括布線和/或具有電極的薄膜晶體管,所述布線的結構和薄膜晶體管的各電極的結構中至少有一種包括:
第一金屬層、應力調整層和第二金屬層,所述應力調整層位于第一金屬層和第二金屬層之間,所述第一金屬層和應力調整層設置成階梯狀,且第二金屬層的端部與所述第一金屬層接觸。
優選地,所述第一金屬層和第二金屬層的厚度分別為1000~5000埃。
優選地,所述應力調整層為氧化硅薄膜、氮化硅薄膜和氮氧化硅薄膜的其中一種,或是上述至少兩種薄膜的復合結構。
優選地,所述第一金屬層為包括第一金屬子層和第一緩沖層的疊層,所述第二金屬層包括第二金屬子層和第二緩沖層的疊層。
優選地,所述第一金屬子層和第二金屬子層為低電阻金屬。
優選地,所述第一緩沖層和第二緩沖層分別為Mo、Ti、Cr的其中一種或是上述至少兩種組成的合金。
優選地,所述第一緩沖層位于第一金屬子層的下方,所述第一金屬子層貼近所述應力調整層;所述第二緩沖層位于第二金屬子層的上方,所述第二金屬子層貼近所述應力調整層。
優選地,所述第一金屬層和第二金屬層結構呈階梯狀。
另一方面,本發明還提供一種包括陣列基板的顯示裝置,該陣列基板由上述電路板形成。
再一方面,本發明還提供一種制作布線或電極的制作方法,所述方法包括:
在基板上通過構圖工藝形成第一金屬層的圖案;
在完成上述步驟的基礎上,通過構圖工藝形成應力調整層的圖案;
在完成上述步驟的基礎上,通過構圖工藝形成第二金屬層的圖案。
(三)有益效果
本發明提供一種電路板、其制作方法以及顯示裝置,通過在兩層金屬層之間增設能夠降低金屬疊層之間應力的應力調整層,且設置第一金屬層和應力調整層結構成階梯狀,從而可有效降低金屬層的電阻,同時極大地降低了由于金屬層厚度造成的后續電極斷線的幾率,提高產品的良品率。
附圖說明
圖1為本發明實施例陣列基板中第一金屬層和應力調整層示意圖;
圖2為本發明實施例陣列基板中第一金屬層、應力調整層和第二金屬層結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖和實施例,對本發明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發明,但不用來限制本發明的范圍。
需要注意的是,由于顯示裝置中的陣列基板是電路板中的其中一種,因此,本實施例以陣列基板為例進行說明,但盡管下面以顯示裝置中的陣列基板為例進行說明,然而本領域的技術人員應當理解,本發明所公開的布線和電極的設計也可以用于包括布線和/或具有電極的薄膜晶體管的各種電路板。所述布線不限于為柵線、數據線或者公共電極線等布線,也可以是任何可以制作于電路板上的布線。
本發明實施例提供的陣列基板,包括柵極、數據掃描線以及源、漏極,上述結構中至少有一種包括如下結構,本實施例中以柵極為例進行示例性說明。
如圖1和圖2所示,陣列基板包括玻璃基板1,在玻璃基板1上設置有第一金屬層2、應力調整層3和第二金屬層4,所述應力調整層3位于第一金屬層2和第二金屬層4之間,所述第一金屬層2和應力調整層3設置成階梯狀且第二金屬層4的端部與第一金屬層2的端部接觸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





