[發(fā)明專利]高密度3D封裝

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310146041.7
• 申請(qǐng)日: 2013-04-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103378017A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜澤圭;翟軍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 輝達(dá)公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/538;H01L21/50;H01L25/16
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 董巍;徐丁峰

1.一種集成電路系統(tǒng)，包括：

插入件，其包括穿過(guò)所述插入件的多個(gè)導(dǎo)電過(guò)孔；

安裝在所述插入件的第一表面上的一個(gè)或多個(gè)高功率芯片，其中所述一個(gè)或多個(gè)高功率芯片在正常運(yùn)行期間生成至少10W的熱量；

安裝在所述插入件的第二表面上的一個(gè)或多個(gè)低功率芯片，其中所述一個(gè)或多個(gè)低功率芯片在正常運(yùn)行期間生成小于5W的熱量，并且所述第一表面和所述第二表面彼此相對(duì)并且大體平行；以及

在所述一個(gè)或多個(gè)高功率芯片和所述一個(gè)或多個(gè)低功率芯片上形成的并配置為包封所述一個(gè)或多個(gè)高功率芯片和所述一個(gè)或多個(gè)低功率芯片的包封材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述一個(gè)或多個(gè)低功率芯片通過(guò)所述多個(gè)導(dǎo)電過(guò)孔電連接到所述一個(gè)或多個(gè)高功率芯片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述一個(gè)或多個(gè)低功率芯片以并排式配置放置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中所述一個(gè)或多個(gè)低功率芯片中的每個(gè)偏離所述一個(gè)或多個(gè)高功率芯片中的每個(gè)的中心。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中所述一個(gè)或多個(gè)低功率芯片中的每個(gè)與所述一個(gè)或多個(gè)高功率芯片的邊重疊。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其中所述一個(gè)或多個(gè)低功率芯片中的每個(gè)包括與所述一個(gè)或多個(gè)高功率芯片的所述邊按行對(duì)齊的輸入/輸出端子。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括電地和機(jī)械地連接到所述一個(gè)或多個(gè)低功率芯片的封裝基板，所述封裝基板具有足以支持所有低功率芯片的連續(xù)長(zhǎng)度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中所述包封材料包封位于所述封裝基板和所述插入件之間的所有低功率芯片。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括電地和機(jī)械地連接到所述一個(gè)或多個(gè)低功率芯片的封裝基板，其中所述封裝基板具有在所述封裝基板的上表面中形成的凹進(jìn)的開(kāi)口，用于容納所述一個(gè)或多個(gè)低功率芯片的厚度。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述一個(gè)或多個(gè)低功率芯片在所述凹進(jìn)的開(kāi)口內(nèi)被包封在包封材料中。