[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法無效
| 申請號: | 201310145688.8 | 申請日: | 2013-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN104124346A | 公開(公告)日: | 2014-10-29 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;黃輝;張振華;王平 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
| 地址: | 518100 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發明涉及有機電致發光領域,尤其涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。
背景技術
1987年,美國Eastman?Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke報道了有機電致發光研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術制備出了高亮度,高效率的雙層有機電致發光器件(OLED)。在該雙層結構的器件中,10V下亮度達到1000cd/m2,其發光效率為1.51lm/W、壽命大于100小時。
OLED的發光原理是基于在外加電場的作用下,電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUMO),而空穴從導電陽極基底注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發光層相遇、復合、形成激子,激子在電場作用下遷移,將能量傳遞給發光材料,并激發電子從基態躍遷到激發態,激發態能量通過輻射失活,產生光子,釋放光能。
在傳統的有機電致發光器件中,器件內部的光只有18%左右是可以發射到外部去的,而其他的部分會以其他形式消耗在器件外部,界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差,玻璃折射率為1.5,ITO為1.8,光從ITO到達玻璃,就會發生全反射),引起了全反射的損失,從而導致整體出光較低,從而導致器件的發光效率較低。
發明內容
基于此,有必要提供一種發光效率較高的有機電致發光器件。
一種有機電致發光器件,包括依次層疊的導電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、硅化合物層、酞菁類金屬化合物摻雜層和金屬化合物摻雜層,所述硅化合物層、酞菁類金屬化合物摻雜層和金屬化合物摻雜層組成陰極復合層;
所述硅化合物層的材料為硅化合物;
所述酞菁類金屬化合物摻雜層的材料為鈉鹽和酞菁類金屬化合物按照質量比為1:1~2:1混合得到的混合物;
所述金屬化合物摻雜層的材料為功函數為-2.0eV~-3.5eV的金屬和雙極性金屬氧化物按照質量比為5:1~15:1混合得到的混合物。
在一個實施例中,所述硅化合物為一氧化硅、二氧化硅或硅酸鈉;
所述硅化合物層的厚度為10nm~30nm。
在一個實施例中,所述鈉鹽為碳酸鈉、氯化鈉或溴化鈉;
所述酞菁類金屬化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁釩或酞菁鎂;
所述酞菁類金屬化合物摻雜層的厚度為50nm~200nm。
在一個實施例中,所述功函數為-2.0eV~-3.5eV的金屬為鎂、鍶、鈣或鐿;
所述雙極性金屬氧化物為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩;
所述金屬化合物摻雜層的厚度為80nm~300nm。
在一個實施例中,所述空穴注入層的材料為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩,所述空穴注入層的厚度為20nm~80nm。
在一個實施例中,所述空穴傳輸層的材料為1,1-二[4-[N,N’-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺;所述空穴傳輸層的厚度為20nm~60nm。
在一個實施例中,所述發光層的材料為4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯或8-羥基喹啉鋁,所述發光層的厚度為5nm~40nm。
在一個實施例中,所述電子傳輸層的材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑,所述電子傳輸層的厚度為40nm~300nm。
在一個實施例中,所述電子注入層的材料為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或氟化鋰,所述電子注入層的厚度為0.5nm~10nm。
一種有機電致發光器件的制備方法,包括如下步驟:
對導電陽極基底進行表面預處理;
在所述導電陽極基底上依次蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層;
在所述電子注入層上電子束蒸鍍形成硅化合物層,其中,所述硅化合物層的材料為硅化合物,所述電子束蒸鍍的能量密度為10W/cm2~l00W/cm2;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





