[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310145688.8
• 申請日: 2013-04-24
• 公開（公告）號: CN104124346A
• 公開（公告）日: 2014-10-29
• 發明（設計）人: 周明杰;黃輝;張振華;王平
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種有機電致發光器件，其特征在于，包括依次層疊的導電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層、硅化合物層、酞菁類金屬化合物摻雜層和金屬化合物摻雜層，所述硅化合物層、酞菁類金屬化合物摻雜層和金屬化合物摻雜層組成陰極復合層；

所述硅化合物層的材料為硅化合物；

所述酞菁類金屬化合物摻雜層的材料為鈉鹽和酞菁類金屬化合物按照質量比為1:1～2:1混合得到的混合物；

所述金屬化合物摻雜層的材料為功函數為-2.0eV～-3.5eV的金屬和雙極性金屬氧化物按照質量比為5:1～15:1混合得到的混合物。

2.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述硅化合物為一氧化硅、二氧化硅或硅酸鈉；

所述硅化合物層的厚度為10nm～30nm。

3.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述鈉鹽為碳酸鈉、氯化鈉或溴化鈉；

所述酞菁類金屬化合物為酞菁銅、酞菁鋅、酞菁釩或酞菁鎂；

所述酞菁類金屬化合物摻雜層的厚度為50nm～200nm。

4.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述功函數為-2.0eV～-3.5eV的金屬為鎂、鍶、鈣或鐿；

所述雙極性金屬氧化物為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩；

所述金屬化合物摻雜層的厚度為80nm～300nm。

5.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩，所述空穴注入層的厚度為20nm～80nm。

6.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料為1,1-二[4-[N,N’-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺；所述空穴傳輸層的厚度為20nm～60nm。

7.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述發光層的材料為4-(二腈甲基）-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯或8-羥基喹啉鋁，所述發光層的厚度為5nm～40nm。

8.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材料為4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑，所述電子傳輸層的厚度為40nm～300nm。

9.如權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述電子注入層的材料為碳酸銫、氟化銫、疊氮銫或氟化鋰，所述電子注入層的厚度為0.5nm～10nm。

10.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

對導電陽極基底進行表面預處理；

在所述導電陽極基底上依次蒸鍍形成空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層；

在所述電子注入層上電子束蒸鍍形成硅化合物層，其中，所述硅化合物層的材料為硅化合物，所述電子束蒸鍍的能量密度為10W/cm²～l00W/cm²；

在所述硅化合物層上依次蒸鍍形成酞菁類金屬化合物摻雜層和金屬化合物摻雜層，得到所述有機電致發光器件，所述硅化合物層、酞菁類金屬化合物摻雜層和金屬化合物摻雜層組成陰極復合層，其中，所述酞菁類金屬化合物摻雜層的材料為鈉鹽和酞菁類金屬化合物按照質量比為1:1～2:1混合得到的混合物，所述金屬化合物摻雜層的材料為功函數為-2.0eV～-3.5eV的金屬和雙極性金屬氧化物按照質量比為5:1～15:1混合得到的混合物。