[發明專利]發光器件和發光器件封裝件

有效

• 申請號: 201310145342.8
• 申請日: 2013-04-24
• 公開（公告）號: CN103378240B
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: 文智炯
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/16
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 顧晉偉,全萬志

技術領域

本實施方案涉及發光器件。

本實施方案涉及發光器件封裝件。

背景技術

已對發光器件和包括發光器件的發光器件封裝件進行了積極的研究和探索。

發光器件是包括將電能轉換成光的半導體材料的半導體發光二極管。

與常規光源如熒光燈和白熾燈比較，發光器件具有低功耗、半永久性壽命、快響應速度、安全以及環境友好性能方面的優勢。因此，已經進行了用半導體發光器件取代常規光源的研究和探索。

此外，根據隨著在室內和室外地方使用多種燈的光源和發光器件如液晶顯示器、電子顯示板以及街燈的趨勢，發光器件越來越多地被使用。

發明內容

本實施方案提供能夠提高產品良品率的發光器件和發光器件封裝件。

根據實施方案，提供了一種發光器件，包括：第一導電半導體層、在第一導電半導體層上的有源層、在有源層上的第二導電半導體層、在有源層和第二導電半導體層之間的第三半導體層以及在第二導電半導體層上的光提取結構。第三半導體層的頂表面具有Ga面。

根據實施方案，提供了一種發光器件，包括：支承襯底、在支承襯底上的電極層、在電極層上的第一導電半導體層、在第一導電半導體層上的有源層、在有源層上的第三半導體層、接觸第三半導體層的第二導電半導體層、在第二導電半導體層上的光提取結構以及在電極層和第一導電半導體層之間的周邊區域處的保護層。第三半導體層的頂表面具有Ga面，第二導電半導體層的頂表面具有N面。

根據實施方案，提供了一種發光器件封裝件，包括：本體、在本體上的發光器件以及圍繞發光器件的模制構件。發光器件包括第一導電半導體層、在第一導電半導體層上的有源層、在有源層上的第二導電半導體層、在有源層和第二導電半導體層之間的第三半導體層以及在第二導電半導體層上的光提取結構。第三半導體層的頂表面具有Ga面。

附圖說明

圖1是示出根據第一實施方案的發光器件的截面圖；

圖2是示出未設置圖1的第三半導體層時有源層由于過度蝕刻而受損的狀態的視圖；

圖3是示出G面和N面的蝕刻狀態的視圖；

圖4是示出通過生長圖1的第三半導體層和第二導電半導體層的Ga-N鍵結構的視圖；

圖5至圖9是示出根據第一實施方案的發光器件的制造過程的截面圖；

圖10是示出根據第二實施方案的發光器件的截面圖；

圖11至17是示出根據第二實施方案的發光器件的制造過程的截面圖；

圖18是示出根據實施方案的發光器件封裝件的截面圖。

具體實施方式

在實施方案的描述中，應理解，當層(或膜)、區域、圖案或結構被稱為在另一層(或膜)、另一區域、另一焊墊或另一圖案“上”或“下”時，表述“上”和“下”包括“直接地”和“間接地”兩個含義。另外，在每層“上”和“下”均是基于附圖而言的。

在下文中，將參考附圖描述實施方案。在附圖中，為便于描述和清楚，每層的厚度或尺寸被放大、省略或示意性示出。在附圖中，為便于描述和清楚，每個部件的厚度或尺寸被放大、省略或示意性示出。

圖1是示出根據第一實施方案的發光器件的截面圖。

參考圖1，根據第一實施方案的發光器件10包括支承襯底11、電極層17、第一保護層23、發光結構30以及電極40。

根據第一實施方案的發光器件10還可以包括置于支承襯底11和電極層17之間的粘合層13，但實施方案不限于此。

根據第一實施方案的發光器件10還可以包括置于電極層17和發光結構30之間的電流阻擋層21，但實施方案不限于此。

根據第一實施方案的發光器件10還可以包括圍繞發光結構30的第二保護層43，但實施方案不限于此。

支承襯底11不僅可以支承其上形成的多個層，也可以與粘合層13和電極層17一起用作電極。支承襯底11可以與電極40一起將電力提供給發光結構30。

支承襯底11可以包括金屬材料或半導體材料。支承襯底11可以包括表現出導電性和熱導率的材料。

例如，金屬材料可以包括選自鈦(Ti)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鉑(Pt)、金(Au)、鎢(W)、銅(Cu)、銅合金(Cu合金)、鉬(Mo)以及銅-鎢(Cu-W)中的至少一種，但實施方案不限于此。例如，半導體材料可以包括選自硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、硅鍺(SiGe)以及碳化硅(SiC)中的至少一種，但實施方案不限于此。