[發明專利]發光器件和發光器件封裝件

有效

• 申請號: 201310145342.8
• 申請日: 2013-04-24
• 公開（公告）號: CN103378240B
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: 文智炯
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/16
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 顧晉偉,全萬志

1.一種發光器件，包括：

第一導電半導體層；

在所述第一導電半導體層上的有源層；

在所述有源層上的第二導電半導體層；

在所述有源層和所述第二導電半導體層之間的第三半導體層；

在所述第二導電半導體層上的光提取結構；以及

在所述有源層和所述第三半導體層之間的第四導電半導體層，

其中直接接觸所述第二導電半導體層的底表面的所述第三半導體層的頂表面具有Ga面，

其中所述第二導電半導體層的所述底表面具有Ga面，

其中直接接觸所述第三半導體層的底表面的所述第四導電半導體層的頂表面具有N面，

其中所述第三半導體層的摻雜劑具有與所述第二導電半導體層的摻雜劑的極性相同的極性，并且

其中所述第二導電半導體層的頂表面具有N面。

2.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第四導電半導體層的摻雜劑具有與所述第一導電半導體層的摻雜劑的極性不同而與所述第二導電半導體層的摻雜劑的極性相同的極性。

3.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第三半導體層的摻雜劑的濃度小于所述第四導電半導體層的摻雜劑的濃度。

4.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第四導電半導體層具有在500nm至2μm的范圍內的厚度。

5.根據權利要求1所述的發光器件，還包括：

在所述第一導電半導體層下方的第一電極層；

在所述第一電極層下方的絕緣層；以及

設置在所述絕緣層下方并且電連接至所述第四導電半導體層的第二電極層。

6.根據權利要求5所述的發光器件，其中所述第二電極層穿過所述第一導電半導體層和所述有源層兩者接觸所述第四導電半導體層。

7.根據權利要求6所述的發光器件，其中所述第二電極層接觸所述第三半導體層。

8.根據權利要求5所述的發光器件，其中所述第二電極層包括：

在所述絕緣層下方的水平電極；以及

從所述水平電極垂直地突出的至少一個垂直電極，以及

其中所述至少一個垂直電極接觸所述第四導電半導體層。

9.根據權利要求5所述的發光器件，還包括設置在所述第二電極層下方的支承襯底。

10.根據權利要求1所述的發光器件，其中所述第三半導體層具有在20nm至1μm的范圍內的厚度。

11.根據權利要求1所述的發光器件，還包括：

在所述光提取結構上的電極；

在所述第一導電半導體層下方的電極層；以及

在所述第一導電半導體層和所述電極層之間的周邊區域處的保護層。

12.一種發光器件，包括：

支承襯底；

在所述支承襯底上的電極層；

在所述電極層上的第一導電半導體層；

在所述第一導電半導體層上的有源層；

在所述有源層上的第三半導體層；

接觸所述第三半導體層的第二導電半導體層；

在所述第二導電半導體層上的光提取結構；

在所述有源層和所述第三半導體層之間的第四導電半導體層；以及

在所述電極層和所述第一導電半導體層之間的周邊區域處的保護層，所述保護層的頂表面直接接觸所述第一導電半導體層的底表面，

其中所述第三半導體層的摻雜劑具有與所述第二導電半導體層的摻雜劑的極性相同的極性，

其中所述第三半導體層的頂表面具有Ga面，所述第二導電半導體層的頂表面具有N面，

其中所述第三半導體層的頂表面直接接觸所述第二導電半導體層的底表面，

其中所述第四導電半導體層的頂表面直接接觸所述第三半導體層的底表面，

其中所述第四導電半導體層的摻雜劑具有與所述第一導電半導體層的摻雜劑的極性不同而與所述第二導電半導體層的摻雜劑的極性相同的極性，以及

其中所述第三半導體層的摻雜劑的濃度小于所述第四導電半導體層的摻雜劑的濃度。

13.一種發光器件封裝件，包括：

本體；

在所述本體上的權利要求1至12中任一項所述的發光器件；以及

圍繞所述發光器件的模制構件。