[發(fā)明專利]柵極側(cè)壁層的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310143277.5
• 申請日: 2013-04-23
• 公開（公告）號: CN104124143B
• 公開（公告）日: 2017-11-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃敬勇;何其旸
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11240
• 代理人: 吳貴明,張永明

1.一種柵極側(cè)壁層的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

在半導(dǎo)體襯底上形成核心結(jié)構(gòu)，所述核心結(jié)構(gòu)的上表面具有掩膜層；

沉積側(cè)壁層后，刻蝕去除所述核心結(jié)構(gòu)上表面及襯底上的側(cè)壁層；

沉積形成犧牲層，并對所述犧牲層進(jìn)行刻蝕直至露出所述掩膜層的上表面；

刻蝕去除所述掩膜層，在所述掩膜層的刻蝕去除過程中，所述側(cè)壁層的上表面覆蓋有犧牲層；以及

刻蝕去除所述犧牲層及所述核心結(jié)構(gòu)，形成所述柵極側(cè)壁層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述核心結(jié)構(gòu)的形成包括如下步驟：

在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成核心結(jié)構(gòu)層及圖案化的掩膜層；

在所述掩膜層的遮蔽下刻蝕所述核心結(jié)構(gòu)層，形成上端覆蓋有所述掩膜層的所述核心結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底與所述核心結(jié)構(gòu)層之間還設(shè)置有刻蝕阻擋層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層由選自由SiCN、SiC或SiON組成的組中的一種或多種形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的厚度為150～250埃。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述掩膜層為氮化硅或氧氮化硅形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述掩膜層通過H₃PO₄濕法刻蝕去除。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述核心結(jié)構(gòu)層由底層的無定型碳層和設(shè)置在所述無定型碳層上的覆蓋層組成。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的形成方法，其特征在于，所述覆蓋層由選自由無定型硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、摻雜氧化硅、氧碳化硅、碳化物、碳化硅、鈦和氮化鈦組成的組中的一種或多種形成。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述犧牲層為氧化物。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度為700～800埃。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述犧牲層通過化學(xué)機械研磨法刻蝕直至露出所述掩膜層的上表面。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述犧牲層與所述核心結(jié)構(gòu)的材質(zhì)相同，同時刻蝕去除所述犧牲層與所述核心結(jié)構(gòu)。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述犧牲層與所述核心結(jié)構(gòu)的材質(zhì)不同，分別選擇性刻蝕去除所述犧牲層與所述核心結(jié)構(gòu)。