[發(fā)明專利]一種同向陣列式整流橋堆

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310141960.5
• 申請日: 2013-04-22
• 公開（公告）號: CN103236426A
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發(fā)明（設計）人: 王雙;王毅
• 申請（專利權(quán)）人: 揚州揚杰電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/495;H02M7/00
• 代理公司: 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224
• 代理人: 周全

技術領域

本發(fā)明涉及對單相二極管整流橋堆芯片結(jié)構(gòu)的改進。

背景技術

現(xiàn)有技術中的單相二極管整流橋堆如圖2所示，其具有兩個引線框，由于結(jié)構(gòu)關系，芯片一11和芯片四14的P面（小）朝下，芯片二12、芯片三13的N面（大面）朝下。這種結(jié)構(gòu)形式在本領域沿用至今，在生產(chǎn)中需要操作者仔細分辨、擺放芯片，如有不慎擺放錯誤，則該成品即報廢，需要操作者全神貫注，這使得操作者的勞動強度較大，生產(chǎn)效率較低。盡管大面和小面的面積相差不大，但在使用時，大面接近散熱面能提升產(chǎn)品的散熱效果。

本申請人2011-11-16遞交的，公開號：CN202332840U，名稱“單向整流橋堆”的專利文件中公開了一種單相二極管整流橋堆的結(jié)構(gòu)。為克服了需要分辨芯片擺放方向的問題，調(diào)整了框架的結(jié)構(gòu)，但是該案的結(jié)構(gòu)設計，一是需要識別所述的角部是段差面還是銳角角部平面，從而完成PN結(jié)的焊接工作；二是框架的整體結(jié)構(gòu)使得產(chǎn)品最終的平面面積大，體積大，結(jié)構(gòu)松散，消耗的資源更多，產(chǎn)品的成本仍處于高位。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明針對以上問題，提供了一種結(jié)構(gòu)緊湊，整體布局更加合理，進而有效降低產(chǎn)品體積和成本的同向陣列式整流橋堆。

本發(fā)明的技術方案是：包括芯片一~四、框架一~四和跳線一~四，所述框架一~四由各自的本體和引腳構(gòu)成，四只所述的框架呈對側(cè)布局，其中所述框架一和框架三的本體呈矩形，相互之間保持絕緣距離、處于所述對側(cè)布局的一側(cè)；所述框架二和框架四的本體呈C形，相互之間呈咬合位置關系、且保持絕緣距離、處于所述對側(cè)布局的另一側(cè)；所述芯片一布設在所述框架一本體的正面，所述芯片二和芯片四分別布設在所述框架四本體的正面，所述芯片三布設在所述框架三本體的正面，所述芯片一~四的極性朝向一致；

所述跳線一連接芯片一的頂面和框架二的頂面，

所述跳線二連接框架一本體的頂面和芯片二的頂面，

所述跳線三連接框架二的頂面和芯片三的頂面，

所述跳線四連接框架三的頂面和芯片四的頂面。

所述芯片一~四的頂面和底面分別為P面和N面，

當所述芯片一~四的P面朝上時，框架一和三的引腳為交流引腳，框架二的引腳為負極、框架四的引腳為正極。

所述框架二和框架四的C形本體由長邊、短邊和連接邊構(gòu)成，

所述框架二的引腳在所述長邊的邊端向外延伸；

所述框架四的引腳在所述長邊的根端向外延伸；

所述框架二的短邊設在所述框架四的C形口中，所述框架四的短邊設在所述框架二的C形口中。

本發(fā)明在框架平面布局上，采取的對側(cè)布局，所有芯片的極性朝向一致。其中一側(cè)采用了咬合形的布局結(jié)構(gòu)，在更小的面積上實現(xiàn)整體橋路。在橋堆焊接加工時，將四個框架分別放置在規(guī)定位置，然后無需分辨極性將芯片一一焊接到位，最后再搭接跳線。整體的加工流程沒有任何翻轉(zhuǎn)步驟。本發(fā)明的優(yōu)化結(jié)構(gòu)布局精巧，大幅度降低了橋堆的平面面積，最終使產(chǎn)品更小巧、耗用的原料進一步降低，焊接效率高，操作節(jié)省人工，產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，成本大幅度降低。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖，

圖2是現(xiàn)有技術的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中11是芯片一、12?是芯片二，13是芯片三，14是芯片四，21是框架一，22是框架二，23是框架三，24是框架四，31是跳線一，32是跳線二，33是跳線三，34是跳線四。

具體實施方式

本發(fā)明如圖1所示，包括芯片一~四11~14、框架一~四21~24和跳線一~四31~34，所述框架一~四11~14由各自的本體和引腳構(gòu)成，四只所述的框架呈對側(cè)布局，其中所述框架一21和框架三23的本體呈矩形，相互之間保持絕緣距離、處于所述對側(cè)布局的一側(cè)；所述框架二22和框架四24的本體呈C形，相互之間呈咬合位置關系、且保持絕緣距離、處于所述對側(cè)布局的另一側(cè)；所述芯片一11布設在所述框架一21本體的正面，所述芯片二12和芯片四14分別布設在所述框架四24本體的正面，所述芯片三13布設在所述框架三23本體的正面，所述芯片一~四11~14的極性朝向一致；

所述跳線一31連接芯片一11的頂面和框架二22的頂面，

所述跳線二32連接框架一21本體的頂面和芯片二12的頂面，

所述跳線三33連接框架二22的頂面和芯片三13的頂面，

所述跳線四34連接框架三23的頂面和芯片四14的頂面。

所述芯片一~四的頂面和底面分別為P面和N面，