[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310141764.8
• 申請日: 2013-04-22
• 公開（公告）號: CN104112665B
• 公開（公告）日: 2018-09-18
• 發明（設計）人: 殷華湘;洪培真;孟令款;朱慧瓏
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/762;H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產權代理事務所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種半導體器件制造方法，包括：

在襯底上形成沿第一方向延伸的多個鰭片和溝槽；

在溝槽中形成淺溝槽隔離，淺溝槽隔離至少包括多個未摻雜的第一隔離層以及摻雜的第二隔離層；

退火，使得摻雜的第二隔離層中雜質擴散形成穿通阻擋層，其中摻雜的第二隔離層、未摻雜的第一隔離層的厚度依照穿通阻擋層的位置需要而設定。

2.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，形成淺溝槽隔離的步驟進一步包括：在溝槽中填充多個未摻雜的第一隔離層與摻雜的第二隔離層構成的隔離層堆疊，覆蓋鰭片側壁以及頂部；刻蝕隔離層堆疊以暴露一部分鰭片側壁。

3.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，摻雜的隔離層包括BSG、PSG、BPSG、摻雜氧化硅、摻雜的SOG、摻雜氮化硅、摻雜非晶硅、摻雜多晶硅、摻雜非晶碳、摻雜low-k、摻雜聚合物及其組合。

4.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，摻雜的隔離層中的雜質包括C、F、N、O、B、P、As、Ge、Ga、In、Sb、Si及其組合。

5.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，雜質向埋設在淺溝槽隔離中的鰭片側向擴散形成位于鰭片底部的溝道穿通阻擋層，和/或雜質向鰭片與襯底界面處向下擴散形成位于襯底頂部的淺溝槽隔離穿通阻擋層。

6.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，淺溝槽隔離或者未摻雜的隔離層包括氧化硅、氮氧化硅、氫氧化硅、氮化硅、含碳氧化硅、low-k、有機物及其組合。

7.如權利要求1的半導體器件制造方法，其中，形成淺溝槽隔離之后進一步包括：

在鰭片上形成沿第二方向延伸的假柵極堆疊；

在假柵極堆疊的沿第一方向的側面形成柵極側墻和源漏區；

在器件上形成層間介質層；

去除假柵極堆疊，在層間介質層中留下柵極溝槽；

在柵極溝槽中形成柵極堆疊；

刻蝕層間介質層形成暴露源漏區的接觸孔；

在接觸孔中形成金屬硅化物和接觸塞。

8.一種半導體器件，包括：

多個鰭片，位于襯底上且沿第一方向延伸；

淺溝槽隔離，位于多個鰭片之間，包括多個未摻雜的第一隔離層以及摻雜的第二隔離層；

穿通阻擋層，位于鰭片底部和/或襯底頂部，其中摻雜的第二隔離層、未摻雜的第一隔離層的厚度依照穿通阻擋層的位置需要而設定。

9.如權利要求8的半導體器件，其中，穿通阻擋層為摻雜半導體或者絕緣介質。

10.如權利要求8的半導體器件，其中，穿通阻擋層中進一步包含選自C、F、N、O、B、P、As、Ge、Ga、In、Sb、Si及其組合的雜質。