[發明專利]一種RC濾波器制造工藝

無效

• 申請號: 201310136846.3
• 申請日: 2013-04-19
• 公開（公告）號: CN104112709A
• 公開（公告）日: 2014-10-22
• 發明（設計）人: 孫芳魁;袁曉飛;吳迪;姜巍;徐榕濱;許巍;王宏婧
• 申請（專利權）人: 哈爾濱工大華生電子有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L21/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明屬于電子元器件制造領域，特別涉及一種低溫度系數RC濾波器制造工藝。

背景技術

在電子元器件領域，濾波器是一種應用廣泛的產品。它的功能是用來消除干擾雜訊，對特定頻率的頻點或該頻點以外的頻率進行有效濾除，得到一個特定的頻率或者消除特定頻率。在LCD、數碼相機、移動電話、筆記本中都有應用。

濾波器的制造分為厚膜工藝和薄膜工藝。厚膜工藝生產的濾波器價格低廉、體積較大、溫度系數較大，在體積大散熱好的設備中應用較多；薄膜工藝生產的濾波器價格較高，但體積小、溫度系數較小，滿足現在高端消費類電子產品的要求，因此在高端消費類電子產品中占據主流。

但隨著消費類電子產品的不斷發展，對于電路中各種元器件的性能要求也進一步提高。目前濾波器的溫度系數都在200ppm/℃以上，隨著工作環境溫度的升高，濾波器的電參數變差，嚴重時將會失去濾波功能，導致整機功能失效。因此需要降低濾波器的溫度系數，提高產品的溫度穩定性，滿足客戶要求。

發明內容

本發明提供了一種低溫度系數RC濾波器制造工藝。該發明的特點是通過對多晶硅方塊電阻的調節，降低電阻（R）的溫度系數，同時調整氧化層的質量以及厚度均勻性提高電容（C）的精度，最終降低了RC濾波器的溫度系數。

本發明提供了一種低溫度系數RC濾波器制造工藝，包括：

提供一種P型硅片。

在所述P型硅片上進行硼（B）擴散，制造出P+區。

進一步的，在所述P型硅片上進行高溫氧化工藝，生長的氧化層作為器件的介質層，并通過光刻腐蝕工藝去除電阻區的氧化層。

進一步的，采用多晶硅淀積、三氯氧磷摻雜工藝，并通過光刻腐蝕工藝在所述P型硅片的正面形成電阻和電容的上電極。

進一步的，采用濺射工藝，并通過光刻腐蝕工藝在所述P型硅片的正面形成金屬層。

進一步的，通過淀積氮化硅以及光刻腐蝕工藝，在所述P型硅片的正面形成鈍化層。

本發明通過調節多晶硅的方塊電阻，使多晶硅的溫度系數降低，同時通過改善氧化層質量以及對氧化層厚度均勻性的精確控制使電容的精度提高，最終降低RC濾波器溫度系數，提高了濾波器的溫度穩定性,使濾波器產品的性能邁上一個新臺階。

附圖說明

圖1是本發明實施例的低溫度系數RC濾波器剖面示意圖。

圖中：1-P型硅片，2-P+區，3-氧化層，4-電阻，5-鈍化層，6-金屬層，7-電容上電極

具體實施方式

本發明的核心思想在于提供一種低溫度系數RC濾波器制造工藝。電阻（R）由多晶硅的方塊電阻以及多晶硅的長寬比決定，多晶硅的方塊電阻影響電阻的溫度系數，通過摻雜工藝調整多晶硅的方塊電阻，降低電阻的溫度系數；電容（C）的精度由介質層的質量和厚度決定，通過干氧-濕氧-干氧的氧化生長工藝控制氧化層的質量，同時將氧化層的均勻性控制在1%以內，這樣電容的精度就能保證。通過以上兩個工藝的調整，將RC濾波器的溫度系數降到50ppm/℃，提高產品的溫度穩定性。

下面結合具體的實施方案以及圖1對本發明做進一步的說明。根據下面說明和權利要求書，本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精確的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明具體實施例的目的。

本實施例的低溫度系數濾波器制造工藝，包括：

首先，選用P型硅片1。

其次，進行硼（B）擴散,制造出P+區2，作為低溫度系數RC濾波器的高導電層。